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Datasheet> 器件分类 > 模拟混合信号IC> 触发装置> 2N3892

2N3892: 产品描述Phase Control SCR 175 Amoeres Average 1200 Volts; 产品类别模拟混合信号IC 触发装置; 文件大小654KB，共4页; 制造商POWEREX; 官网地址http://www.pwrx.com/Home.aspx; 相似器件已查找到20个与2N3892功能相似器件

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2N3892概述

Phase Control SCR 175 Amoeres Average 1200 Volts

2N3892规格参数

参数名称	属性值
包装说明	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Code	unknow
配置	SINGLE
最大直流栅极触发电流	150 mA
最大直流栅极触发电压	4 V
最大维持电流	200 mA
JESD-30 代码	O-MUPM-H3
最大漏电流	15 mA
通态非重复峰值电流	4500 A
元件数量	1
端子数量	3
最大通态电流	175000 A
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	POST/STUD MOUNT
认证状态	Not Qualified
最大均方根通态电流	275 A
断态重复峰值电压	800 V
重复峰值反向电压	800 V
表面贴装	NO
端子形式	HIGH CURRENT CABLE
端子位置	UPPER
触发设备类型	SCR
Base Number Matches	1

与2N3892功能相似器件

器件名	厂商	描述
150C100BE3	Microsemi	Silicon Controlled Rectifier, 235A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-209AB, TO-93, 3 PIN
NTE5584	NTE	235.5 A, 1200 V, SCR, TO-93
ST180S12P0V	Vishay(威世)	Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 200000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209AB, HERMETIC SEALED, METAL, TO-93, 3 PIN
175C80BE3	Microsemi	Silicon Controlled Rectifier, 275A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-209AB, TO-93, 3 PIN
150C120BE3	Microsemi	Silicon Controlled Rectifier, 235A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209AB, TO-93, 3 PIN
150C80BE3	Microsemi	Silicon Controlled Rectifier, 235A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-209AB, TO-93, 3 PIN
175C120BE3	Microsemi	Silicon Controlled Rectifier, 275A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209AB, TO-93, 3 PIN
175C100BE3	Microsemi	Silicon Controlled Rectifier, 275A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-209AB, TO-93, 3 PIN
15112GOAE3	Microsemi	Silicon Controlled Rectifier, 235A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209AB, TO-93, 3 PIN
15110GOAE3	Microsemi	Silicon Controlled Rectifier, 235A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-209AB, TO-93, 3 PIN
15108GOAE3	Microsemi	Silicon Controlled Rectifier, 235A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-209AB, TO-93, 3 PIN
2N3894	New Jersey Semiconductor	PHASE CONTROL SCR
2N3891	POWEREX	Phase Control SCR 175 Amoeres Average 1200 Volts
150C80B	Coors Components Inc	Silicon Controlled Rectifier, 235000mA I(T), 800V V(DRM),
175C120B	Microsemi	Silicon Controlled Rectifier, 275A I(T)RMS, 275000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209AB, TO-93, 3 PIN
C180P	POWEREX	Phase Control SCR 150 Amperes Average 1600 Volts
150C100B	Coors Components Inc	Silicon Controlled Rectifier, 235000mA I(T), 1000V V(DRM),
175C80B	Microsemi	Silicon Controlled Rectifier, 275A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-209AB, TO-93, 3 PIN
2N3893	POWEREX	Phase Control SCR 175 Amoeres Average 1200 Volts
TK3610K	Microsemi	Silicon Controlled Rectifier, 360000mA I(T), 1000V V(DRM),

扔掉那些比特!: [p=16, null, left][color=rgb(51, 51, 51)][font=Arial, Helvetica, sans-serif, 宋体][size=12px]高质量的测压元件 (load cell) 可能会具有 2-mV/V 输出传输功能，其意味着您获得的每一伏特激励电压都要 ±2 mV 满量程输出信号。4.096V 激励电压和全传感器挠度条件下，最大输出为 ±8.192 ...; wstt 模拟电子

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器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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