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NAND01GW3B2CN6F: 产品描述128M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48; 产品类别存储存储; 文件大小506KB，共62页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/; 标准

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NAND01GW3B2CN6F概述

128M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48

NAND01GW3B2CN6F规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	TSOP
包装说明	TSOP1,
针数	48
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	3A991.B.1.A
最长访问时间	25000 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G48
JESD-609代码	e3
长度	18.4 mm
内存密度	1073741824 bi
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	48
字数	134217728 words
字数代码	128000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	12 mm

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NAND01G-B2B

NAND02G-B2C

1 Gbit, 2 Gbit,

2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

Features

■

High Density NAND Flash memories

–

Up to 2 Gbit memory array

Cost effective solutions for mass

storage applications

x8 or x16 bus width

Multiplexed Address/ Data

Pinout compatibility for all densities

FBGA

■

NAND interface

–

TSOP48 12 x 20mm

■

Supply voltage: 1.8V/3.0V

Page size

–

x8 device: (2048 + 64 spare) Bytes

x16 device: (1024 + 32 spare) Words

■

VFBGA63 9.5 x 12 x 1mm

VFBGA63 9 x 11 x 1mm

■

Block size

–

x8 device: (128K + 4K spare) Bytes

x16 device: (64K + 2K spare) Words

Random access: 25µs (max)

Sequential access: 30ns (min)

Page program time: 200µs (typ)

Serial Number option

Data protection

–

Hardware Block Locking

Hardware Program/Erase locked during

Power transitions

100,000 Program/Erase cycles

10 years Data Retention

■

Page Read/Program

–

■

Data integrity

–

■

Copy Back Program mode

Cache Program and Cache Read modes

Fast Block Erase: 2ms (typ)

Status Register

Electronic Signature

Chip Enable ‘don’t care’

Product List

Reference

NAND01G-B2B

■

ECOPACK

packages

Development tools

–

Error Correction Code models

Bad Blocks Management and Wear

Leveling algorithms

Hardware simulation models

Table 1.

Part Number

NAND01GR3B2B, NAND01GW3B2B

NAND01GR4B2B

NAND01GW4B2B

(1)

NAND02GR3B2C, NAND02GW3B2C

NAND02G-B2C

1. x16 organization only available for MCP Products.

NAND02GR4B2C, NAND02GW4B2C

(1)

November 2006

Rev 3

1/62

www.st.com

Contents

NAND01G-B2B, NAND02G-B2C

Contents

Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

Memory array organization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

2.1

Bad blocks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Signals description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

3.1

3.2

3.3

3.4

3.5

3.6

3.7

3.8

3.9

3.10

3.11

Inputs/Outputs (I/O0-I/O7) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Inputs/Outputs (I/O8-I/O15) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Address Latch Enable (AL) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Command Latch Enable (CL) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Chip Enable (E) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Read Enable (R) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Write Enable (W) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Write Protect (WP) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Ready/Busy (RB) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Supply Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Ground . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Bus operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

4.1

4.2

4.3

4.4

4.5

4.6

Command Input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Address Input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Data Input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Data Output . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Write Protect . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Standby . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Command Set . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Device operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

6.1

Read Memory Array . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

6.1.1

6.1.2

Random Read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

Page Read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

2/62

NAND01G-B2B, NAND02G-B2C

Contents

6.2

6.3

Cache Read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

Page Program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

6.3.1

6.3.2

Sequential Input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

Random Data Input in a page . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

6.4

6.5

6.6

6.7

6.8

Copy Back Program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

Cache Program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

Block Erase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

Reset . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

Read Status Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

6.8.1

6.8.2

6.8.3

6.8.4

6.8.5

6.8.6

Write Protection Bit (SR7) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

P/E/R Controller and Cache Ready/Busy Bit (SR6) . . . . . . . . . . . . . . . 31

P/E/R Controller Bit (SR5) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

Cache Program Error Bit (SR1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

Error Bit (SR0) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

SR4, SR3 and SR2 are Reserved . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

6.9

Read Electronic Signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

Data protection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

Software algorithms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

8.1

8.2

8.3

8.4

8.5

8.6

Bad Block Management . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

NAND Flash memory failure modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

Garbage Collection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

Wear-leveling algorithm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

Error Correction Code . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

Hardware Simulation models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

8.6.1

8.6.2

Behavioral simulation models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

IBIS simulations models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

Program and Erase Times and Endurance cycles . . . . . . . . . . . . . . . . 40

Maximum rating . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41

DC And AC parameters . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42

11.1

11.2

Ready/Busy Signal electrical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54

Data Protection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56

3/62

NAND01G-B2B, NAND02G-B2C

List of tables

Table 1.

Table 2.

Table 3.

Table 4.

Table 5.

Table 6.

Table 7.

Table 8.

Table 9.

Table 10.

Table 11.

Table 12.

Table 13.

Table 14.

Table 15.

Table 16.

Table 17.

Table 18.

Table 19.

Table 20.

Table 21.

Table 22.

Table 23.

Table 24.

Table 25.

Table 26.

Table 27.

Table 28.

Table 29.

Table 30.

Product List . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

Product Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Signal Names . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

Valid Blocks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Bus Operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Address Insertion, x8 Devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Address Insertion, x16 Devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Address Definitions, x8 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Address Definitions, x16 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Commands . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Copy Back Program x8 Addresses . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

Copy Back Program x16 Addresses . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

Status Register Bits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

Electronic Signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

Electronic Signature Byte 3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

Electronic Signature Byte/Word 4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

NAND Flash failure modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

Program, Erase Times and Program Erase Endurance Cycles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

Absolute Maximum Ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41

Operating and AC Measurement Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42

Capacitance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42

DC Characteristics, 1.8V Devices. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43

DC Characteristics, 3V Devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44

AC Characteristics for Command, Address, Data Input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45

AC Characteristics for Operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46

TSOP48 - 48 lead Plastic Thin Small Outline, 12 x 20 mm, Package Mechanical Data. . . 57

VFBGA63 9.5x12mm - 6x8 active ball array, 0.80mm pitch, Package Mechanical Data . . 58

VFBGA63 9x11mm - 6x8 active ball array, 0.80mm pitch, Package Mechanical Data . . . 59

Ordering Information Scheme. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60

Document Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61

5/62

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　　一、放大器的作用由于麦克风已经把声音转换成电压和电流，放大器的主要作用是把小的电信号变成一个大的电信号。放大器有三种放大方式：第一，电压放大，电流不变；第二，电流放大，电压不变；第三，电压和电流都放大。这三种方式都将电信号的能量放大了，这种能量来自于助听器电池。放大器配合滤波器性能，可使其具有助听器所需的频率特性。　　二、放大器的构造　　用于放大的基本元件是晶体管。为了获得更好的放大...[详细]
Intersil新的降压型稳压器ISL801×

2008 年 07 月 11 日， Intersil 公司宣布推出 ISL8012 、 ISL8013 和 ISL8014 三款单片同步降压型 DC/DC 稳压器。该系列器件可以为消费、计算机、工业及仪器等各种应用提供紧凑而有效的电源解决方案。 ISL8012/13/14 可执行高效率的 DC/DC 控制和转...[详细]
基于DSP的彩色TFT-LCD数字图像显示技术研究(图)

　　随着计算机技术的飞速发展，嵌入式图像系统广泛应用于办公设备、制造和流程设计、医疗、监控、卫生设备、交通运输、通信、金融银行系统和各种信息家电中。所谓嵌入式图像系统，是指以图像应用为中心，以计算机技术为基础，软件、硬件可裁减，对功能、可靠性、成本、体积、功耗等严格要求的专用计算机系统。嵌入式图像系统对图像显示技术提出了各种严格要求，必须选择合适的显示器，设计出合理的显示控制方法。　　系统...[详细]
Epcos收购恩智浦半导体的RF-MEMS业务

　　位于慕尼黑的Epcos最近收购恩智浦(NXP)半导体的射频微机电系统(RF-MEMS)业务，RF-MEMS技术有望扩展手机功能，并削减手机成本和功耗。通过这次收购，Epocs将确立其在该领域的领先地位。　　Epcos表示，今年它将接管荷兰恩智浦的射频MEMS业务，并将把它发展成为价值近10亿欧元一个产品系列。收购交易条款没有披露。　　射频MEMS技术可以应用到包括天线和功率放大器在内...[详细]
ADI公司的Advantiv高级电视解决方案IC

ADI 近日宣布日立公司在其最新的消费类无线传输集线器 TP-WL700H 中使用 ADI 公司的 Advantiv ™高级电视解决方案 IC ，以提供高端的无线功能、灵活性和无缝高清 (HD) 连接。这款 TP-WL700H 集线器仅在日本市场供应，它是一款单机设备，专门用于为日立 Wooo UT 系列液晶电视提供无线高清娱乐内容。在日立公司最新的无线视...[详细]
欧胜第一款用于手机的主动噪音消除芯片

2008年7月欧胜微电子宣布，其第一款专为手机应用而设计的主动噪音消除芯片现已开始提供样品。语音通信依然是手机的主要功能。现在的用户期望在任何时间和地点，甚至是在闹市或聚会场所等非常嘈杂环境中都能够进行稳定可靠、清晰可辨的通话。理想的清晰通话需要尽量减少双方的噪音，使通话双方可以听清交谈的全部要点。到目前为止，手机制造商仅仅能够在发送通道上降噪，因此背景噪音未被传...[详细]
TD-SCDMA射频测试总结（三）

　　本期将简要介绍有关频谱方面的测试——占用带宽。　　定义:占用带宽是指以指定信道的中心频率为中心，包含总发射功率99%能量时所对应的频带宽度。　　测试目的:验证UE的占用带宽是否符合指标要求，避免超过指标要求的占用带宽增加对其他信道或其他系统的干扰。　　初始条件：　　（1）测试环境：normal；参考TS34.122标准clauses G.2.1和G.2.2。　　（2）测试频点：l...[详细]
Intel：嵌入式联网设备市场是下一个“金矿”

　　随着嵌入式技术和通信技术的发展，二者之间已呈现出更多的融合趋势：一方面嵌入式设备被更多地连接到互联网上，成为互联网接入终端；另一方面这些设备之间也越来越多地实现了互联互通。自今年英特尔推出面向嵌入式领域的凌动处理器以来，英特尔的嵌入式市场战略逐渐清晰，而其与终端设备芯片厂商ARM之间的竞争也成为业界关注的焦点。英特尔DougDavis 　　英特尔在北京举行嵌入式战略沟通会，英特尔...[详细]

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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