NAND02GW3B2BZA6F,NAND02GW3B2BZA6F pdf中文资料,NAND02GW3B2BZA6F引脚图,NAND02GW3B2BZA6F电路-Datasheet-电子工程世界

NAND02GW3B2BZA6F: 产品描述256M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48; 产品类别存储存储; 文件大小506KB，共62页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/

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NAND02GW3B2BZA6F概述

256M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48

256M × 8 FLASH 3V 可编程只读存储器, 25000 ns, PDSO48

参数名称	属性值
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA,
针数	63
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	3A991.B.1.A
最长访问时间	25000 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B63
长度	12 mm
内存密度	2147483648 bi
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	63
字数	268435456 words
字数代码	256000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	256MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.05 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	9.5 mm

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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