256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | 10.50 X 13 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, LFBGA-137 |
| 针数 | 137 |
| Reach Compliance Code | compli |
| Is Samacsys | N |
| 其他特性 | LPSDRAM IS ORGANISED AS 16M X 32 |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B137 |
| 长度 | 13 mm |
| 内存密度 | 1073741824 bi |
| 内存集成电路类型 | MEMORY CIRCUIT |
| 内存宽度 | 8 |
| 混合内存类型 | FLASH+SDRAM |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 137 |
| 字数 | 134217728 words |
| 字数代码 | 128000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -30 °C |
| 组织 | 128MX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LFBGA |
| 封装等效代码 | BGA137,10X15,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.4 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL EXTENDED |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 宽度 | 10.5 mm |
| Base Number Matches | 1 |
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