Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> NAND01GW4B2BN1F

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NAND01GW4B2BN1F: 产品描述256M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48; 产品类别存储存储; 文件大小506KB，共62页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/; 标准

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NAND01GW4B2BN1F概述

256M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48

256M × 8 FLASH 3V 可编程只读存储器, 25000 ns, PDSO48

NAND01GW4B2BN1F规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	TSOP
包装说明	12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
针数	48
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	3A991.B.1.A
最长访问时间	25000 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G48
JESD-609代码	e3/e6
长度	18.4 mm
内存密度	1073741824 bi
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	48
字数	67108864 words
字数代码	64000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	64MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN/TIN BISMUTH
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
类型	NAND TYPE
宽度	12 mm
Base Number Matches	1

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NAND01G-B2B

NAND02G-B2C

1 Gbit, 2 Gbit,

2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

Features

■

High Density NAND Flash memories

–

Up to 2 Gbit memory array

Cost effective solutions for mass

storage applications

x8 or x16 bus width

Multiplexed Address/ Data

Pinout compatibility for all densities

FBGA

■

NAND interface

–

TSOP48 12 x 20mm

■

Supply voltage: 1.8V/3.0V

Page size

–

x8 device: (2048 + 64 spare) Bytes

x16 device: (1024 + 32 spare) Words

■

VFBGA63 9.5 x 12 x 1mm

VFBGA63 9 x 11 x 1mm

■

Block size

–

x8 device: (128K + 4K spare) Bytes

x16 device: (64K + 2K spare) Words

Random access: 25µs (max)

Sequential access: 30ns (min)

Page program time: 200µs (typ)

Serial Number option

Data protection

–

Hardware Block Locking

Hardware Program/Erase locked during

Power transitions

100,000 Program/Erase cycles

10 years Data Retention

■

Page Read/Program

–

■

Data integrity

–

■

Copy Back Program mode

Cache Program and Cache Read modes

Fast Block Erase: 2ms (typ)

Status Register

Electronic Signature

Chip Enable ‘don’t care’

Product List

Reference

NAND01G-B2B

■

ECOPACK

packages

Development tools

–

Error Correction Code models

Bad Blocks Management and Wear

Leveling algorithms

Hardware simulation models

Table 1.

Part Number

NAND01GR3B2B, NAND01GW3B2B

NAND01GR4B2B

NAND01GW4B2B

(1)

NAND02GR3B2C, NAND02GW3B2C

NAND02G-B2C

1. x16 organization only available for MCP Products.

NAND02GR4B2C, NAND02GW4B2C

(1)

November 2006

Rev 3

1/62

www.st.com

Contents

NAND01G-B2B, NAND02G-B2C

Contents

Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

Memory array organization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

2.1

Bad blocks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Signals description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

3.1

3.2

3.3

3.4

3.5

3.6

3.7

3.8

3.9

3.10

3.11

Inputs/Outputs (I/O0-I/O7) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Inputs/Outputs (I/O8-I/O15) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Address Latch Enable (AL) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Command Latch Enable (CL) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Chip Enable (E) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Read Enable (R) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Write Enable (W) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Write Protect (WP) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Ready/Busy (RB) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Supply Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Ground . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Bus operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

4.1

4.2

4.3

4.4

4.5

4.6

Command Input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Address Input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Data Input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Data Output . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Write Protect . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Standby . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Command Set . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Device operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

6.1

Read Memory Array . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

6.1.1

6.1.2

Random Read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

Page Read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

2/62

NAND01G-B2B, NAND02G-B2C

Contents

6.2

6.3

Cache Read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

Page Program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

6.3.1

6.3.2

Sequential Input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

Random Data Input in a page . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

6.4

6.5

6.6

6.7

6.8

Copy Back Program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

Cache Program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

Block Erase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

Reset . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

Read Status Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

6.8.1

6.8.2

6.8.3

6.8.4

6.8.5

6.8.6

Write Protection Bit (SR7) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

P/E/R Controller and Cache Ready/Busy Bit (SR6) . . . . . . . . . . . . . . . 31

P/E/R Controller Bit (SR5) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

Cache Program Error Bit (SR1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

Error Bit (SR0) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

SR4, SR3 and SR2 are Reserved . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

6.9

Read Electronic Signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

Data protection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

Software algorithms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

8.1

8.2

8.3

8.4

8.5

8.6

Bad Block Management . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

NAND Flash memory failure modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

Garbage Collection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

Wear-leveling algorithm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

Error Correction Code . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

Hardware Simulation models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

8.6.1

8.6.2

Behavioral simulation models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

IBIS simulations models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

Program and Erase Times and Endurance cycles . . . . . . . . . . . . . . . . 40

Maximum rating . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41

DC And AC parameters . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42

11.1

11.2

Ready/Busy Signal electrical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54

Data Protection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56

3/62

NAND01G-B2B, NAND02G-B2C

List of tables

Table 1.

Table 2.

Table 3.

Table 4.

Table 5.

Table 6.

Table 7.

Table 8.

Table 9.

Table 10.

Table 11.

Table 12.

Table 13.

Table 14.

Table 15.

Table 16.

Table 17.

Table 18.

Table 19.

Table 20.

Table 21.

Table 22.

Table 23.

Table 24.

Table 25.

Table 26.

Table 27.

Table 28.

Table 29.

Table 30.

Product List . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

Product Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Signal Names . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

Valid Blocks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Bus Operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Address Insertion, x8 Devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Address Insertion, x16 Devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Address Definitions, x8 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Address Definitions, x16 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Commands . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Copy Back Program x8 Addresses . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

Copy Back Program x16 Addresses . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

Status Register Bits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

Electronic Signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

Electronic Signature Byte 3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

Electronic Signature Byte/Word 4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

NAND Flash failure modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

Program, Erase Times and Program Erase Endurance Cycles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

Absolute Maximum Ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41

Operating and AC Measurement Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42

Capacitance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42

DC Characteristics, 1.8V Devices. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43

DC Characteristics, 3V Devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44

AC Characteristics for Command, Address, Data Input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45

AC Characteristics for Operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46

TSOP48 - 48 lead Plastic Thin Small Outline, 12 x 20 mm, Package Mechanical Data. . . 57

VFBGA63 9.5x12mm - 6x8 active ball array, 0.80mm pitch, Package Mechanical Data . . 58

VFBGA63 9x11mm - 6x8 active ball array, 0.80mm pitch, Package Mechanical Data . . . 59

Ordering Information Scheme. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60

Document Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61

5/62

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最近在做一个关于电池管理的项目，用到了TI公司的BQ4050，这个IC是专门对电池进行管理、保护和数据采集的，在TI配套的上位机中可以对这个芯片进行配置，具体的配置方法还有各种寄存器的意义可以参照手册，实际上我对怎么配置这个IC也不怎么明白，基本上是按照默认配置来的。不过因为项目中我们用到四串的电池，所以必须配置为4串，不然第四个电池就不能获取到电压。具体的寄存器描述如图：接下来，我们...[详细]
串联逆变器与并联逆变电源有什么不同，先开通后关断

串联逆变器和并联逆变器的区别在于使用不同的振荡电路。串联逆变器将L、R和c串联，并联逆变器将L、R和c并联。串联逆变器与并联逆变电源有哪些区别串联逆变器的负载电路具有低阻抗。需要电压源电源，大滤波电容器应并联在DC电源端子上。如果逆变器发生故障，由于浪涌电流大，很难提供保护。并联逆变器的负载电路呈现高阻抗，需要电流源供电。大型电抗器应串联在DC电力终端。如果逆变器发生故障，很容易提...[详细]
纯正弦波逆变器的特点和功能

纯正弦波逆变器的输出波形好，失真度很低，且其输出波形与市电电网的交流电波形基本一致，实际上优良的纯正弦波逆变器提供的交流电比电网的质量更高。纯正弦波逆变器对收音机和通讯设备及精密设备的干扰小，噪声低，负载适应能力强，能满足所有交流负载的应用，而且整机效率较高。纯正弦波逆变器输出的是同我们日常使用的电网一样甚至更好的正弦波交流电，不存在电网中的电磁污染，简单来说就是运用范围广，负载能力强，稳...[详细]
如何才能有效延长电动汽车的单次续航里程

电动汽车的续航里程关乎车辆的用车体验，而驾驶电动汽车外出的时候，里程焦虑也是对于使用电动汽车过程中令人头疼的问题。尽管目前最新的电动汽车一次充电可以实现续航五百公里以上的续航，但里程焦虑仍是纯电动车车主内心挥之不去的阴影。对于电动汽车来说，如何才能延长电动汽车的单次续航里程？对于车辆来说，延长车辆的续航里程，需要从驾驶方式，和车辆的使用上面来说，首先对于电动汽车来说，电动汽车的核心部件是电...[详细]
电动汽车能走多远取决于电池技术

电动汽车将为交通运输带来变革性的影响，燃油、碳排放、成本、维修费、驾驶习惯等，通通都会因此改变。当前电动汽车的一大卖点是能够缓和气候变化这一燃眉之急，但在不久的将来，人们就会知道其不仅对环境友好，而且对自己的腰包也友好，电动汽车将会比燃油汽车价钱更加实惠、性能更加优越。电气化能走多远？对能源系统和地球经济有何影响？汽车电气化正逐渐走向大众。挪威计划在2025年实现其所有的汽车均为电动型或插...[详细]
直流变频空调核心大揭秘！

　　夏天是购买和使用空调的高峰，你是否留意空调的能效?你是否购买的是直流变频空调?又是否知道能效与空调用的电机之间的关系呢? 　　空调的原理　　空调器通电后，制冷系统内制冷剂的低压蒸汽被压缩机吸入并压缩为高压蒸汽后排至冷凝器。同时轴流风扇吸入的室外空气流经冷凝器，带走制冷剂放出的热量，使高压制冷剂蒸汽凝结为高压液体。高压液体经过过滤器、节流机构后喷入蒸发器，并在相应的低压下蒸发，吸取周围...[详细]
冷库温度实时巡回检测系统设计

引言　　随着社会的发展，人们对冷藏、冷冻食品质量要求不断提高，而食品外观及营养成分的变化与冷库的温度密切相关，不同的食品有不同的冷藏或冷冻温度，不同的保存时间有不同的保存温度，因此设计开发一个符合实际需要的冷库温度实时巡回检测系统，检测冷库不同位置的温度，以辅助管理人员及时对冷库温度进行调节，显得十分必要。　　在传统的冷库温度检测系统中，经常应用热敏电阻之类的温度传感器件，利用它的感温...[详细]
以高整合度混合信号单片机实现两线式Force Sensor应用设计

　　1. 内容简介　　在2015年，苹果新一代的MacBook和Apple Watch皆搭载压力触控感应技术，它被Apple称为Force Touch，用户每次按下触控板之后除了可以在萤幕看见视觉回馈，它同时能够分辨出用户点按的力度强弱来做出一系列的相关操控与应用。而本文将介绍以HY16F184内建高精密Sigma-delta 24 Bit ADC搭配Uneo Force Sensor来实现一...[详细]

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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