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NAND01GW4B2CN6E: 产品描述256M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48; 产品类别存储存储; 文件大小506KB，共62页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/; 标准

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NAND01GW4B2CN6E概述

256M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48

256M × 8 FLASH 3V 可编程只读存储器, 25000 ns, PDSO48

NAND01GW4B2CN6E规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	TSOP
包装说明	12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
针数	48
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	3A991.B.1.A
Is Samacsys	N
最长访问时间	25000 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G48
JESD-609代码	e3
长度	18.4 mm
内存密度	1073741824 bi
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	48
字数	67108864 words
字数代码	64000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	64MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
类型	NAND TYPE
宽度	12 mm
Base Number Matches	1

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NAND01G-B2B

NAND02G-B2C

1 Gbit, 2 Gbit,

2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

Features

■

High Density NAND Flash memories

–

Up to 2 Gbit memory array

Cost effective solutions for mass

storage applications

x8 or x16 bus width

Multiplexed Address/ Data

Pinout compatibility for all densities

FBGA

■

NAND interface

–

TSOP48 12 x 20mm

■

Supply voltage: 1.8V/3.0V

Page size

–

x8 device: (2048 + 64 spare) Bytes

x16 device: (1024 + 32 spare) Words

■

VFBGA63 9.5 x 12 x 1mm

VFBGA63 9 x 11 x 1mm

■

Block size

–

x8 device: (128K + 4K spare) Bytes

x16 device: (64K + 2K spare) Words

Random access: 25µs (max)

Sequential access: 30ns (min)

Page program time: 200µs (typ)

Serial Number option

Data protection

–

Hardware Block Locking

Hardware Program/Erase locked during

Power transitions

100,000 Program/Erase cycles

10 years Data Retention

■

Page Read/Program

–

■

Data integrity

–

■

Copy Back Program mode

Cache Program and Cache Read modes

Fast Block Erase: 2ms (typ)

Status Register

Electronic Signature

Chip Enable ‘don’t care’

Product List

Reference

NAND01G-B2B

■

ECOPACK

packages

Development tools

–

Error Correction Code models

Bad Blocks Management and Wear

Leveling algorithms

Hardware simulation models

Table 1.

Part Number

NAND01GR3B2B, NAND01GW3B2B

NAND01GR4B2B

NAND01GW4B2B

(1)

NAND02GR3B2C, NAND02GW3B2C

NAND02G-B2C

1. x16 organization only available for MCP Products.

NAND02GR4B2C, NAND02GW4B2C

(1)

November 2006

Rev 3

1/62

www.st.com

Contents

NAND01G-B2B, NAND02G-B2C

Contents

Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

Memory array organization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

2.1

Bad blocks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Signals description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

3.1

3.2

3.3

3.4

3.5

3.6

3.7

3.8

3.9

3.10

3.11

Inputs/Outputs (I/O0-I/O7) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Inputs/Outputs (I/O8-I/O15) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Address Latch Enable (AL) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Command Latch Enable (CL) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Chip Enable (E) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Read Enable (R) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Write Enable (W) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Write Protect (WP) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Ready/Busy (RB) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Supply Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Ground . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Bus operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

4.1

4.2

4.3

4.4

4.5

4.6

Command Input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Address Input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Data Input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Data Output . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Write Protect . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Standby . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Command Set . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Device operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

6.1

Read Memory Array . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

6.1.1

6.1.2

Random Read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

Page Read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

2/62

NAND01G-B2B, NAND02G-B2C

Contents

6.2

6.3

Cache Read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

Page Program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

6.3.1

6.3.2

Sequential Input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

Random Data Input in a page . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

6.4

6.5

6.6

6.7

6.8

Copy Back Program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

Cache Program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

Block Erase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

Reset . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

Read Status Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

6.8.1

6.8.2

6.8.3

6.8.4

6.8.5

6.8.6

Write Protection Bit (SR7) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

P/E/R Controller and Cache Ready/Busy Bit (SR6) . . . . . . . . . . . . . . . 31

P/E/R Controller Bit (SR5) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

Cache Program Error Bit (SR1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

Error Bit (SR0) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

SR4, SR3 and SR2 are Reserved . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

6.9

Read Electronic Signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

Data protection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

Software algorithms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

8.1

8.2

8.3

8.4

8.5

8.6

Bad Block Management . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

NAND Flash memory failure modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

Garbage Collection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

Wear-leveling algorithm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

Error Correction Code . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

Hardware Simulation models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

8.6.1

8.6.2

Behavioral simulation models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

IBIS simulations models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

Program and Erase Times and Endurance cycles . . . . . . . . . . . . . . . . 40

Maximum rating . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41

DC And AC parameters . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42

11.1

11.2

Ready/Busy Signal electrical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54

Data Protection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56

3/62

NAND01G-B2B, NAND02G-B2C

List of tables

Table 1.

Table 2.

Table 3.

Table 4.

Table 5.

Table 6.

Table 7.

Table 8.

Table 9.

Table 10.

Table 11.

Table 12.

Table 13.

Table 14.

Table 15.

Table 16.

Table 17.

Table 18.

Table 19.

Table 20.

Table 21.

Table 22.

Table 23.

Table 24.

Table 25.

Table 26.

Table 27.

Table 28.

Table 29.

Table 30.

Product List . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

Product Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Signal Names . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

Valid Blocks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Bus Operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Address Insertion, x8 Devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Address Insertion, x16 Devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Address Definitions, x8 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Address Definitions, x16 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Commands . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Copy Back Program x8 Addresses . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

Copy Back Program x16 Addresses . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

Status Register Bits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

Electronic Signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

Electronic Signature Byte 3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

Electronic Signature Byte/Word 4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

NAND Flash failure modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

Program, Erase Times and Program Erase Endurance Cycles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

Absolute Maximum Ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41

Operating and AC Measurement Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42

Capacitance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42

DC Characteristics, 1.8V Devices. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43

DC Characteristics, 3V Devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44

AC Characteristics for Command, Address, Data Input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45

AC Characteristics for Operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46

TSOP48 - 48 lead Plastic Thin Small Outline, 12 x 20 mm, Package Mechanical Data. . . 57

VFBGA63 9.5x12mm - 6x8 active ball array, 0.80mm pitch, Package Mechanical Data . . 58

VFBGA63 9x11mm - 6x8 active ball array, 0.80mm pitch, Package Mechanical Data . . . 59

Ordering Information Scheme. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60

Document Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61

5/62

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　　据国外媒体报道，AMD周四宣布，已决定退出掌上设备和数字电视芯片市场。　　由于最近几个季度持续亏损，AMD日前决定放弃掌上设备和数字电视图形芯片业务。为此，AMD将一次性支出8.76亿美元，占第二季度亏损额的绝大部分。AMD第二季度预计将亏损12亿美元。　　这笔费用与2006年AMD以54亿美元收购ATI交易的商誉有关。AMD当时认为收购ATI交易的商誉高达32亿美元，由于放弃ATI...[详细]
重重危机下中国电子制造业抱团前行

　　随着中国电子制造业的发展和全球电子制造向中国的转移，中国的电子制造公司如雨后春笋。在中国的长三角、珠三角以及环渤海地区，形成了相对完整的电子产业群落。于此同时，作为电子制造业中重要的一环，SMT/EMS产业也主要集中在以上地区。这些地区的SMT/EMS总量占全国80%以上。按地区分，以珠三角及周边地区最强，长三角地区次之，环渤海地区第三。环渤海地区SMT/EMS总量虽与珠三角和长三角相比有较...[详细]
半导体厂商角逐医疗电子技术不断出新

　　由于“新型农村合作医疗”政策及国内医疗设备企业的出口拉动，我国医疗电子快速发展，这吸引了各大半导体厂商加快医疗电子研发的步伐，推出一系列低功耗、高性能产品。　　亚德诺　　增加通用器件系列并开发新型替代技术　　针对医疗设备市场的发展趋势，ADI(亚德诺)在产品上有三大研发方向：　　一是不断增加通用器件的产品系列，同时注重提高产品的性能指标和降低成本。例如，10Msps采样率使A...[详细]
ARM发展模式“芯”的方向

ARM开创的销售IP商业模式，其另一个更为长远的目标，可能就在于此，即建立一个统一标准的体系结构平台。 Intel采用“Intel Inside”的品牌行销策略，业已被广告业界誉为一个经典的案例，但每年数十亿美元的广告行销费用，同样让诸多效仿者大叹不如、望而却步。当然对于2003年营业额不到3亿美元的ARM来说这更不是一个明智地选择。但ARM自2002年便开始在全球推广Con...[详细]
应用于RF MEMS的可集成压力监控技术

　　许多MEMS器件，像加速度计、机械共振器件等，都需要在真空环境下才能实现设计功能。然而检验封装腔体是否达到了所要求的真空程度一直一来都是个棘手的问题。密歇根大学Khalil Najafi教授研究小组的研究人员最近开发出一种用微机械制造方法实现，可以在封装的封帽上完成皮拉尼真空测量的方案。使用这种方法可以完成封装的氦气检漏测试，该成果已发表在IEEE Transactions on Advan...[详细]
消费电子走向融合CEA欲创便携接口统一标准

　　消费电子协会将于今年秋季召开一次会议，以讨论是否创建一个新组织来推动便携式和手持系统的标准的设立。目前CEA正在尝试将各种移动系统与其会员企业生产的传统电视机、立体声音响和汽车系统实现连接。　　CEA技术和标准总监Dave Wilson表示：“消费电子行业已经超越了传统的电视、立体声音响和汽车音频系统，向各种技术的融合发展，所以，或许现在我们是应该创建一个针对便携式系统的统一标准了。” ...[详细]
低温线圈可帮助MRI生成更加清晰的图像

　　一种为核磁共振（MRI）新开发的低温线圈可以在不需要更高磁场设备的情况下为医生在更短的时间内提供更清晰的图像。传统MRI扫描靠提高磁场强度来提高信号噪声比（SNR），以增强图像质量。而这种新研制出的被称做m2m的线圈可以在不需要更高磁场的情况下，通过增强MRI接收线圈的性能来达到提高SNR，从而提升MRI的成像质量的目的。该线圈由冷铜和高温超导材料组成，并在真空状态下进行冷却处理以减...[详细]
高质量实时网络视频黄金帧编解码器的实现

在某个层面上，On2 科技有限公司 (On2 Technologies) 的 TrueMotion VP7 技术实现这一目标的方式与其它视频编解码器几乎相同。它同样采用运动补偿来消除时间冗余，采用基于频率的模块变换来消除空间冗余，采用一个环路滤波器来处理模块变换的方块效应，并采用熵编码来消除统计相关性。不过，On2 的VP7技术却包含了多项使其与众不同、脱颖而出的创新性技术，而且这些技术目前...[详细]

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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