NAND02GR3B2BZA6F,NAND02GR3B2BZA6F pdf中文资料,NAND02GR3B2BZA6F引脚图,NAND02GR3B2BZA6F电路-Datasheet-电子工程世界

NAND02GR3B2BZA6F: 产品描述256M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48; 产品类别存储存储; 文件大小506KB，共62页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/

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NAND02GR3B2BZA6F概述

256M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48

256M × 8 FLASH 3V 可编程只读存储器, 25000 ns, PDSO48

参数名称	属性值
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA,
针数	63
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	3A991.B.1.A
最长访问时间	25000 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B63
长度	12 mm
内存密度	2147483648 bi
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	63
字数	268435456 words
字数代码	256000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	256MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
编程电压	1.8 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.05 mm
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	9.5 mm

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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