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NAND02GR4B2BZA1

产品描述128M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
产品类别存储   
文件大小402KB,共64页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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NAND02GR4B2BZA1概述

128M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48

NAND02GR4B2BZA1规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量48
最小工作温度-40 Cel
最大工作温度85 Cel
额定供电电压3 V
最小供电/工作电压2.7 V
最大供电/工作电压3.6 V
加工封装描述12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
状态Contact Mfr
ccess_time_max35 ns
jesd_30_codeR-PDSO-G48
jesd_609_codee0
存储密度1.02E9 bit
内存IC类型FLASH
内存宽度8
moisture_sensitivity_levelNOT SPECIFIED
位数1.28E8 words
位数128M
操作模式ASYNCHRONOUS
组织128MX8
包装材料PLASTIC/EPOXY
ckage_codeTSOP1
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
串行并行PARALLEL
eak_reflow_temperature__cel_NOT SPECIFIED
gramming_voltage__v_3
qualification_statusCOMMERCIAL
seated_height_max1.2 mm
表面贴装YES
温度等级INDUSTRIAL
端子涂层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子间距0.5000 mm
端子位置DUAL
ime_peak_reflow_temperature_max__s_NOT SPECIFIED
length18.4 mm
width12 mm

 
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