电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

NAND02GR4B2BZA6F

产品描述256M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48
产品类别存储   
文件大小506KB,共62页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
下载文档 详细参数 全文预览

NAND02GR4B2BZA6F概述

256M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48

256M × 8 FLASH 3V 可编程只读存储器, 25000 ns, PDSO48

NAND02GR4B2BZA6F规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量48
最大工作温度85 Cel
最小工作温度-40 Cel
最大供电/工作电压3.6 V
最小供电/工作电压2.7 V
额定供电电压3 V
最大存取时间25000 ns
加工封装描述12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态TRANSFERRED
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子间距0.5000 mm
端子涂层TIN/TIN BISMUTH
端子位置DUAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
温度等级INDUSTRIAL
内存宽度8
组织256M X 8
存储密度2.15E9 deg
操作模式ASYNCHRONOUS
位数2.68E8 words
位数256M
内存IC类型FLASH 3V PROM
串行并行PARALLEL

文档预览

下载PDF文档
NAND01G-B2B
NAND02G-B2C
1 Gbit, 2 Gbit,
2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
Features
High Density NAND Flash memories
Up to 2 Gbit memory array
Cost effective solutions for mass
storage applications
x8 or x16 bus width
Multiplexed Address/ Data
Pinout compatibility for all densities
FBGA
NAND interface
TSOP48 12 x 20mm
Supply voltage: 1.8V/3.0V
Page size
x8 device: (2048 + 64 spare) Bytes
x16 device: (1024 + 32 spare) Words
VFBGA63 9.5 x 12 x 1mm
VFBGA63 9 x 11 x 1mm
Block size
x8 device: (128K + 4K spare) Bytes
x16 device: (64K + 2K spare) Words
Random access: 25µs (max)
Sequential access: 30ns (min)
Page program time: 200µs (typ)
Serial Number option
Data protection
Hardware Block Locking
Hardware Program/Erase locked during
Power transitions
100,000 Program/Erase cycles
10 years Data Retention
Page Read/Program
Data integrity
Copy Back Program mode
Cache Program and Cache Read modes
Fast Block Erase: 2ms (typ)
Status Register
Electronic Signature
Chip Enable ‘don’t care’
Product List
Reference
NAND01G-B2B
ECOPACK
®
packages
Development tools
Error Correction Code models
Bad Blocks Management and Wear
Leveling algorithms
Hardware simulation models
Table 1.
Part Number
NAND01GR3B2B, NAND01GW3B2B
NAND01GR4B2B
,
NAND01GW4B2B
(1)
NAND02GR3B2C, NAND02GW3B2C
NAND02G-B2C
1. x16 organization only available for MCP Products.
NAND02GR4B2C, NAND02GW4B2C
(1)
November 2006
Rev 3
1/62
www.st.com
1
MDK的实时系统RTX
那位老大有MDK的实时系统RTX方面学习的资料?...
liudashuang 嵌入式系统
【新思科技IP资源】基于IP的SoC设计如何推动动态的、多样性的HPC需求实现全面增长
在芯片设计领域,使用经硅验证IP是一种行之有效的做法。 事实上,这种既能节省时间又能提高质量的复杂片上系统(SoC)开发方法的使用范围越来越广,普及率越来越高。特别是在高速增长的动 ......
arui1999 综合技术交流
portel dxp 2004 的教程
有谁有portel dxp 2004 的教程的么?给我份??谢谢!!...
cwj1986521 嵌入式系统
求购二手的合众达的xds510仿真器
人在北京,当面交易。...
dsp_comm 淘e淘
视频干扰
有块视频的板子,用XL1509DC DC芯片供电有水波纹干扰,用LDO或者用MP1584就没有,想知道是什么原因导致的,和频率相关吗,如果要用1509有什么优化的办法625478625479 ...
cxq742536574 开关电源学习小组
2006年十大热门微处理器和存储器新品评析1
本帖最后由 jameswangsynnex 于 2015-3-3 20:00 编辑 的MSP430 MCU突破500nA极限   编辑推荐:德州仪器(TI)最新的MSP430F20xx微控制器主要面向电池供电的应用,该MCU采用了独特的超低功耗晶 ......
aifang 消费电子

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1337  2352  2154  1775  1864  53  41  29  34  13 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved