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NAND02GR4B2BZB6

产品描述128M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
产品类别存储    存储   
文件大小402KB,共64页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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NAND02GR4B2BZB6概述

128M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48

NAND02GR4B2BZB6规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA,
针数63
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间35 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B63
JESD-609代码e0
长度12 mm
内存密度2147483648 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
端子数量63
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
编程电压1.8 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度9.5 mm

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NAND01G-B
NAND02G-B
1 Gbit, 2 Gbit,
2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
Feature summary
High Density NAND Flash memories
Up to 2 Gbit memory array
Up to 64Mbit spare area
Cost effective solutions for mass
storage applications
x8 or x16 bus width
Multiplexed Address/ Data
Pinout compatibility for all densities
FBGA
NAND interface
TSOP48 12 x 20mm
Supply voltage
1.8V device: V
DD
= 1.7 to 1.95V
3.0V device: V
DD
= 2.7 to 3.6V
x8 device: (2048 + 64 spare) Bytes
x16 device: (1024 + 32 spare) Words
x8 device: (128K + 4K spare) Bytes
x16 device: (64K + 2K spare) Words
Random access: 25µs (max)
Sequential access: 50ns (min)
Page program time: 300µs (typ)
Page size
VFBGA63 9.5 x 12 x 1mm
TFBGA63 9.5 x 12 x 1.2mm
Block size
Serial Number option
Data protection
Hardware and Software Block Locking
Hardware Program/Erase locked during
Power transitions
100,000 Program/Erase cycles
10 years Data Retention
Page Read/Program
Data integrity
Copy Back Program mode
Fast page copy without external
buffering
Internal Cache Register to improve the
program and read throughputs
Block erase time: 2ms (typ)
ECOPACK
®
packages
Development tools
Error Correction Code software and
hardware models
Bad Blocks Management and Wear
Leveling algorithms
File System OS Native reference
software
Hardware simulation models
Cache Program and Cache Read modes
Fast Block Erase
Status Register
Electronic Signature
Chip Enable ‘don’t care’
for simple interface with microcontroller
February 2006
Rev 4.0
1/64
www.st.com
2
多款畅销TDS3012 TDS3012 TDS2002欧伟/韩S0769-87910706
多款畅销TDS3012 TDS3012 TDS2002欧伟/韩S0769-87910706 东莞市奥斯达电子仪器有限公司 联系人:欧伟(经理)/韩S(助理) 13580879166 TEL:0769-87910706 FAX:0769-87910705 ......
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