Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> NAND02GR4B2CN1F

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NAND02GR4B2CN1F: 产品描述256M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48; 产品类别存储存储; 文件大小506KB，共62页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/; 标准

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NAND02GR4B2CN1F概述

256M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48

256M × 8 FLASH 3V 可编程只读存储器, 25000 ns, PDSO48

NAND02GR4B2CN1F规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	TSOP
包装说明	TSOP1,
针数	48
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	3A991.B.1.A
最长访问时间	25000 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G48
JESD-609代码	e3/e6
长度	18.4 mm
内存密度	2147483648 bi
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	48
字数	134217728 words
字数代码	128000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	128MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
编程电压	1.8 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN/TIN BISMUTH
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	12 mm

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NAND01G-B2B

NAND02G-B2C

1 Gbit, 2 Gbit,

2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

Features

■

High Density NAND Flash memories

–

Up to 2 Gbit memory array

Cost effective solutions for mass

storage applications

x8 or x16 bus width

Multiplexed Address/ Data

Pinout compatibility for all densities

FBGA

■

NAND interface

–

TSOP48 12 x 20mm

■

Supply voltage: 1.8V/3.0V

Page size

–

x8 device: (2048 + 64 spare) Bytes

x16 device: (1024 + 32 spare) Words

■

VFBGA63 9.5 x 12 x 1mm

VFBGA63 9 x 11 x 1mm

■

Block size

–

x8 device: (128K + 4K spare) Bytes

x16 device: (64K + 2K spare) Words

Random access: 25µs (max)

Sequential access: 30ns (min)

Page program time: 200µs (typ)

Serial Number option

Data protection

–

Hardware Block Locking

Hardware Program/Erase locked during

Power transitions

100,000 Program/Erase cycles

10 years Data Retention

■

Page Read/Program

–

■

Data integrity

–

■

Copy Back Program mode

Cache Program and Cache Read modes

Fast Block Erase: 2ms (typ)

Status Register

Electronic Signature

Chip Enable ‘don’t care’

Product List

Reference

NAND01G-B2B

■

ECOPACK

packages

Development tools

–

Error Correction Code models

Bad Blocks Management and Wear

Leveling algorithms

Hardware simulation models

Table 1.

Part Number

NAND01GR3B2B, NAND01GW3B2B

NAND01GR4B2B

NAND01GW4B2B

(1)

NAND02GR3B2C, NAND02GW3B2C

NAND02G-B2C

1. x16 organization only available for MCP Products.

NAND02GR4B2C, NAND02GW4B2C

(1)

November 2006

Rev 3

1/62

www.st.com

Contents

NAND01G-B2B, NAND02G-B2C

Contents

Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

Memory array organization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

2.1

Bad blocks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Signals description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

3.1

3.2

3.3

3.4

3.5

3.6

3.7

3.8

3.9

3.10

3.11

Inputs/Outputs (I/O0-I/O7) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Inputs/Outputs (I/O8-I/O15) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Address Latch Enable (AL) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Command Latch Enable (CL) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Chip Enable (E) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Read Enable (R) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Write Enable (W) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Write Protect (WP) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Ready/Busy (RB) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Supply Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Ground . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Bus operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

4.1

4.2

4.3

4.4

4.5

4.6

Command Input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Address Input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Data Input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Data Output . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Write Protect . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Standby . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Command Set . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Device operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

6.1

Read Memory Array . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

6.1.1

6.1.2

Random Read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

Page Read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

2/62

NAND01G-B2B, NAND02G-B2C

Contents

6.2

6.3

Cache Read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

Page Program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

6.3.1

6.3.2

Sequential Input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

Random Data Input in a page . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

6.4

6.5

6.6

6.7

6.8

Copy Back Program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

Cache Program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

Block Erase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

Reset . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

Read Status Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

6.8.1

6.8.2

6.8.3

6.8.4

6.8.5

6.8.6

Write Protection Bit (SR7) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

P/E/R Controller and Cache Ready/Busy Bit (SR6) . . . . . . . . . . . . . . . 31

P/E/R Controller Bit (SR5) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

Cache Program Error Bit (SR1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

Error Bit (SR0) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

SR4, SR3 and SR2 are Reserved . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

6.9

Read Electronic Signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

Data protection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

Software algorithms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

8.1

8.2

8.3

8.4

8.5

8.6

Bad Block Management . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

NAND Flash memory failure modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

Garbage Collection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

Wear-leveling algorithm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

Error Correction Code . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

Hardware Simulation models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

8.6.1

8.6.2

Behavioral simulation models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

IBIS simulations models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

Program and Erase Times and Endurance cycles . . . . . . . . . . . . . . . . 40

Maximum rating . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41

DC And AC parameters . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42

11.1

11.2

Ready/Busy Signal electrical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54

Data Protection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56

3/62

NAND01G-B2B, NAND02G-B2C

List of tables

Table 1.

Table 2.

Table 3.

Table 4.

Table 5.

Table 6.

Table 7.

Table 8.

Table 9.

Table 10.

Table 11.

Table 12.

Table 13.

Table 14.

Table 15.

Table 16.

Table 17.

Table 18.

Table 19.

Table 20.

Table 21.

Table 22.

Table 23.

Table 24.

Table 25.

Table 26.

Table 27.

Table 28.

Table 29.

Table 30.

Product List . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

Product Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Signal Names . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

Valid Blocks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Bus Operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Address Insertion, x8 Devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Address Insertion, x16 Devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Address Definitions, x8 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Address Definitions, x16 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Commands . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Copy Back Program x8 Addresses . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

Copy Back Program x16 Addresses . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

Status Register Bits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

Electronic Signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

Electronic Signature Byte 3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

Electronic Signature Byte/Word 4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

NAND Flash failure modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

Program, Erase Times and Program Erase Endurance Cycles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

Absolute Maximum Ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41

Operating and AC Measurement Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42

Capacitance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42

DC Characteristics, 1.8V Devices. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43

DC Characteristics, 3V Devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44

AC Characteristics for Command, Address, Data Input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45

AC Characteristics for Operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46

TSOP48 - 48 lead Plastic Thin Small Outline, 12 x 20 mm, Package Mechanical Data. . . 57

VFBGA63 9.5x12mm - 6x8 active ball array, 0.80mm pitch, Package Mechanical Data . . 58

VFBGA63 9x11mm - 6x8 active ball array, 0.80mm pitch, Package Mechanical Data . . . 59

Ordering Information Scheme. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60

Document Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61

5/62

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盖世汽车供应链：透视中国汽车芯片产业

随着智能电动汽车的快速普及，汽车芯片正从辅助控制单元，跃升为支撑整车智能化的“底座”。其应用范围从动力控制、底盘域、智能座舱、辅助驾驶域延展至整车中央计算平台，构建出一个高算力、高安全、高可靠的硬核体系。在全球芯片巨头如英伟达、高通、英飞凌等持续加码的同时，华为、比亚迪、地平线、黑芝麻智能等本土企业正快速崛起，推动国产替代加速落地。伴随整车架构向中央计算与域控制器转型，汽车芯片的产业链格局正被深...[详细]
用国产大模型，特斯拉接入豆包和DeepSeek

日前，特斯拉发布了《特斯拉车机语音助手使用条款》，宣布车机语音助手将接入火山引擎提供的豆包大模型（云雀大模型）和DeepSeek Chat，而对于具体上线时间官方暂未明确。该条款指出，每辆特斯拉都配备了语音助手功能。车主可以通过物理按键、“嘿，Tesla”或自定义唤醒词激活车机语音助手，进而与车辆进行语音交互。根据特斯拉中国官网更新的《特斯拉车机语音助手使用条款》显示，全新上...[详细]
自动驾驶达到什么技术标准才能称为L3级？

在谈及自动驾驶技术时，常会陷入两个极端，一方面是大家对“完全自动驾驶”的美好愿景，另一方面是自动驾驶技术飞速发展过程中对于“安全隐患”的担忧。L3级自动驾驶系统（ADS）恰好处在这两者的张力中——它需要在特定条件下代替人类完成全部动态驾驶任务，同时又必须留出人与机器之间明确的责任与边界。为了规范自动驾驶系统技术要求、保障交通安全与合规性、推动自动驾驶行业健康发展，由中华人民共和国工业和信息化部主...[详细]
单片机stm32的5个时钟源的详细分析

　　众所周知STM32有5个时钟源HSI、HSE、LSI、LSE、PLL，其实他只有四个，因为从上图中可以看到PLL都是由HSI或HSE提供的。　　其中，高速时钟(HSE和HSI)提供给芯片主体的主时钟.低速时钟(LSE和LSI)只是提供给芯片中的RTC(实时时钟)及独立看门狗使用，图中可以看出高速时钟也可以提供给RTC。　　内部时钟是在芯片内部RC振荡器产生的，起振较快，所以时钟在芯片刚上...[详细]
“Wave”家电控制指环

引言　　智能家庭这一概念正在逐步发展并被市场接受。我们认为其终极形式在于所有家电的基于开放接口的互联互通，但基于目前的市场情况来看，各个家电厂商在开放接口方面表现的十分不积极。在这种环境下，一个通用的家电控制平台无疑是很有市场前景的。尤其是结合了体感手势控制技术以后，“Wave”家电控制指环将提供更加自然的用户体验，更容易被市场所接受。 1 系统设计　　“Wave”家电控制指环的主题最初...[详细]
汽车使用劣质火花塞负面影响多，如何区分火花塞真假

火花塞对于发动机来说是必不可少的一个装置了，正所谓离开了火花塞，发动机无法正常的工作，严重的后果就是在高速行车的时候，那么对于火花塞来说，购买更换看似简单，但是实际上面来说，使用不当带来的危害还是很大的，火花塞主要的作用就是满足发动机在工作的时候所需要的电能，达到促进汽油燃烧的这么一个装置，而对于火花塞来说，假的劣质的火花塞有哪些危害？假的火花带来的后果会导致加速性能下降，冷启动困难等一...[详细]
基于iGaN的300W高能效游戏适配器参考设计

在科技演进浪潮中，能源技术已逐渐成为现代产业发展的核心驱动力。从移动设备到云服务器，从电动车到智慧城市，科技产品日益强调效能、速度与可持续能源的平衡，而这一切的背后都需要更高效、更稳定的电源转换技术。随着各种应用对能源效率与功率密度的要求不断提高，传统以硅（Silicon, Si）为基础的功率元件正面临物理与性能的极限挑战。这也促使业界开始寻求更具潜力的新型材料，其中氮化镓（Gallium...[详细]

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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