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NAND02GW4B2BN1

产品描述128M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
产品类别存储    存储   
文件大小402KB,共64页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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NAND02GW4B2BN1概述

128M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48

NAND02GW4B2BN1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码TSOP
包装说明TSOP1,
针数48
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间35 ns
JESD-30 代码R-PDSO-G48
JESD-609代码e0
长度18.4 mm
内存密度2147483648 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
端子数量48
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度12 mm
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