NAND512R3M0BZB5F,NAND512R3M0BZB5F pdf中文资料,NAND512R3M0BZB5F引脚图,NAND512R3M0BZB5F电路-Datasheet-电子工程世界

NAND512R3M0BZB5F: 产品描述256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP; 产品类别存储存储; 文件大小170KB，共23页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/; 标准

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NAND512R3M0BZB5F概述

256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	BGA
包装说明	10.50 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-107
针数	107
Reach Compliance Code	compli
其他特性	LPSDRAM IS ORGANISED AS 16M X 16
JESD-30 代码	R-PBGA-B107
长度	13 mm
内存密度	536870912 bi
内存集成电路类型	MEMORY CIRCUIT
内存宽度	8
混合内存类型	FLASH+SDRAM
功能数量	1
端子数量	107
字数	67108864 words
字数代码	64000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-30 °C
组织	64MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA107,10X14,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL EXTENDED
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40
宽度	10.5 mm

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ