NAND512W4A2CN6E,NAND512W4A2CN6E pdf中文资料,NAND512W4A2CN6E引脚图,NAND512W4A2CN6E电路-Datasheet-电子工程世界

NAND512W4A2CN6E: 产品描述64M X 8 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PDSO48; 产品类别存储存储; 文件大小507KB，共51页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/; 标准

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NAND512W4A2CN6E概述

64M X 8 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PDSO48

64M × 8 FLASH 3V 可编程只读存储器, 12000 ns, PDSO48

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	TSOP
包装说明	TSSOP, TSSOP48,.8,20
针数	48
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	3A991.B.1.A
最长访问时间	12000 ns
命令用户界面	YES
数据轮询	NO
JESD-30 代码	R-PDSO-G48
JESD-609代码	e3/e6
长度	18.4 mm
内存密度	536870912 bi
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	16
功能数量	1
部门数/规模	4K
端子数量	48
字数	33554432 words
字数代码	32000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	32MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP
封装等效代码	TSSOP48,.8,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小	256 words
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	3/3.3 V
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
就绪/忙碌	YES
座面最大高度	1.2 mm
部门规模	8K
最大待机电流	0.00005 A
最大压摆率	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	TIN/TIN BISMUTH
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
切换位	NO
类型	SLC NAND TYPE
宽度	12 mm

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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