256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| Reach Compliance Code | unknow |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B107 |
| 内存集成电路类型 | MEMORY CIRCUIT |
| 混合内存类型 | FLASH+SDRAM |
| 端子数量 | 107 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -30 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | FBGA |
| 封装等效代码 | BGA107,10X14,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, FINE PITCH |
| 电源 | 3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
