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NAND512W4M0CZB5E

产品描述256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP
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文件大小170KB,共23页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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NAND512W4M0CZB5E概述

256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP

NAND512W4M0CZB5E规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
Reach Compliance Codeunknow
JESD-30 代码R-PBGA-B107
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
混合内存类型FLASH+SDRAM
端子数量107
最高工作温度85 °C
最低工作温度-30 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装等效代码BGA107,10X14,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
电源3 V
认证状态Not Qualified
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
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