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FSL110R3

产品描述3.5A, 100V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL CAN, TO-205AF, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小59KB,共8页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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FSL110R3概述

3.5A, 100V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL CAN, TO-205AF, 3 PIN

FSL110R3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码BCY
包装说明HERMETIC SEALED, METAL CAN-3
针数4
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性RADIATION HARDENED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3.5 A
最大漏极电流 (ID)3.5 A
最大漏源导通电阻0.6 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-205AF
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)15 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)10.5 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

FSL110R3相似产品对比

FSL110R3 FSL110R4 FSL110D3 FSL110D1 FSL110R1
描述 3.5A, 100V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL CAN, TO-205AF, 3 PIN 3.5A, 100V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL CAN, TO-205AF, 3 PIN 3.5A, 100V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3 3.5A, 100V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3 3.5A, 100V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL CAN, TO-205AF, 3 PIN
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 BCY BCY BCY BCY BCY
包装说明 HERMETIC SEALED, METAL CAN-3 HERMETIC SEALED, METAL CAN-3 HERMETIC SEALED, METAL CAN-3 HERMETIC SEALED, METAL CAN-3 HERMETIC SEALED, METAL CAN-3
针数 4 4 4 4 4
Reach Compliance Code not_compliant _compli not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V 100 V 100 V
最大漏极电流 (ID) 3.5 A 3.5 A 3.5 A 3.5 A 3.5 A
最大漏源导通电阻 0.6 Ω 0.6 Ω 0.6 Ω 0.6 Ω 0.6 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-205AF TO-205AF TO-205AF TO-205AF TO-205AF
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 10.5 A 10.5 A 10.5 A 10.5 A 10.5 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
其他特性 RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED - - RADIATION HARDENED
最大漏极电流 (Abs) (ID) 3.5 A 3.5 A 3.5 A 3.5 A -
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 -
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C -
最大功率耗散 (Abs) 15 W 15 W 15 W 15 W -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) -
厂商名称 - Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
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