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PZ1418B15U

产品描述RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN, FM-2
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小123KB,共2页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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PZ1418B15U概述

RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN, FM-2

PZ1418B15U规格参数

参数名称属性值
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接BASE
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压15 V
配置SINGLE
最高频带L BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)27 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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PZ1418B15U
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The
ASI PZ1418B15U
is Designed
for Class B broadband Amplifiers
under CW conditions, in 1.4 to 1.8
GHz Military Equipment
.
PACKAGE STYLE .400 4L FLG
C
B
E
FEATURES:
Class B Operation
P
G
= 7.0 dB at 12.5 W/1.4-1.8 GHz
Omnigold™
Metalization System
MAXIMUM RATINGS
I
C
V
CBO
V
CEO
V
EBO
P
DISS
T
J
T
STG
θ
JC
2.0 A
40 V
15 V
3.0 V
27 W @ T
C
= 25 °C
+200 °C Max.
-65 °C to +150 °C
6.8 °C/W
CHARACTERISTICS
SYMBOL
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
CES
I
EBO
P
G
η
C
I
C
= 20 mA
T
C
= 25 °C
NONETEST
CONDITIONS
I
C
= 5.0 mA
I
E
= 0.25 mA
V
CB
= 30 V
V
CB
= 40 V
V
CE
= 35 V
V
EB
= 1.5 V
V
CC
= 28 V
P
OUT
= 12.5 W
f = 400 MHz
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
40
15
3.0
2.5
5.0
25
100
7.0
38
7.8
45
UNITS
V
V
V
mA
mA
µA
dB
%
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
REV. A
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