Laser Diode, 1310nm
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE |
| 最大正向电流 | 0.001 A |
| JESD-609代码 | e0 |
| 安装特点 | THROUGH HOLE MOUNT |
| 功能数量 | 1 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -20 °C |
| 光电设备类型 | LASER DIODE |
| 标称输出功率 | 5 mW |
| 峰值波长 | 1310 nm |
| 半导体材料 | GaAsP |
| 形状 | ROUND |
| 尺寸 | 2.7 mm |
| 光谱带宽 | 2e-9 m |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 最大阈值电流 | 30 mA |
| Base Number Matches | 1 |
| HL1352MF | |
|---|---|
| 描述 | Laser Diode, 1310nm |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE |
| 最大正向电流 | 0.001 A |
| JESD-609代码 | e0 |
| 安装特点 | THROUGH HOLE MOUNT |
| 功能数量 | 1 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -20 °C |
| 光电设备类型 | LASER DIODE |
| 标称输出功率 | 5 mW |
| 峰值波长 | 1310 nm |
| 半导体材料 | GaAsP |
| 形状 | ROUND |
| 尺寸 | 2.7 mm |
| 光谱带宽 | 2e-9 m |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 最大阈值电流 | 30 mA |
| Base Number Matches | 1 |
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