电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

2N1307

产品描述300 mA, PNP, Ge, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小265KB,共3页
制造商ETC
下载文档 详细参数 全文预览

2N1307概述

300 mA, PNP, Ge, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5

2N1307规格参数

参数名称属性值
最大集电极电流0.3000 A
端子数量3
加工封装描述TO-5, 3 PIN
状态Active
结构SINGLE
最小直流放大倍数60
jedec_95_codeTO-5
jesd_30_codeO-MBCY-W3
jesd_609_codee0
moisture_sensitivity_levelNOT SPECIFIED
元件数量1
最大工作温度85 Cel
包装材料METAL
包装形状ROUND
包装尺寸CYLINDRICAL
eak_reflow_temperature__cel_NOT SPECIFIED
larity_channel_typePNP
wer_dissipation_max__abs_0.1500 W
qualification_statusCOMMERCIAL
sub_categoryOther Transistors
表面贴装NO
端子涂层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
ime_peak_reflow_temperature_max__s_NOT SPECIFIED
晶体管元件材料GERMANIUM
额定交叉频率10 MHz

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 848  1458  1497  1552  1553 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved