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NDL7514P1D

产品描述1310 nm InGaAsP STRAINED MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE
文件大小24KB,共2页
制造商NEC ( Renesas )
官网地址https://www2.renesas.cn/zh-cn/
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NDL7514P1D概述

1310 nm InGaAsP STRAINED MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE

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1310 nm InGaAsP STRAINED MQW
DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE
FEATURES
OUTPUT POWER:
P
f
= 50 mW at I
FP
= 400 mA
1
LONG WAVELENGTH
λ
C
= 1310 nm
• COAXIAL MODULE WITHOUT
THERMOELECTRIC COOLER
• SINGLE MODE FIBER PIGTAIL
NDL7514P
SERIES
DESCRIPTION
The NDL75148P Series is a 1310 nm newly developed strained
Multiple Quantum Well (st-MQW) structure laser diode coaxial
module with single mode fiber. It is designed as the light
source of optical measurement equipment (OTDR).
ELECTRO-OPTICAL CHARACTERISTICS
PART NUMBER
PACKAGE OUTLINE
SYMBOLS
T
C
= 25
°
C
V
FP
I
TH
P
f
λ
C
σ
t
r
t
f
I
TH
PF
λ
C
∆λ/∆T
σ
Forward Voltage, I
FP
= 400 mA, PW = 10
µs,
Duty = 1%
Threshold Current
Optical Output Power from Fiber,
I
FP
= 400 mA, PW = 10
µs,
Duty = 1%
RMS Center Wavelength,
I
FP
= 400 mA, PW = 10
µs,
Duty = 1%
RMS Spectral Width,
I
FP
= 400 mA, PW = 10
µs,
Duty = 1%
Rise Time, 10 to 90%
Fall Time, 90 to 10%
Threshold Current,
Optical Output Power from Fiber
I
FP
= 400 mA, PW = 10
µs,
Duty = 1%
RMS Center Wavelength,
I
FP
= 400 mA, PW = 10
µs,
Duty = 1%
Temperature Dependence of Center Wavelength
RMS Spectral
I
FP
= 400 mA, PW = 10
µs,
Duty = 1%
Width
,
V
mA
mW
nm
nm
ns
ns
mA
mA
nm
nm/°C
nm
1280
15
25
1290
2.5
20
50
1310
4.5
1330
10
1.0
1.0
50
30
1342.5
0.35
10
4.0
30
PARAMETERS AND CONDITIONS
UNITS
MIN
NDL7514P Series
TYP
MAX
T
C
= 0 to +60
°
C
California Eastern Laboratories

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描述 1310 nm InGaAsP STRAINED MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1310 nm InGaAsP STRAINED MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1310 nm InGaAsP STRAINED MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1310 nm InGaAsP STRAINED MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1310 nm InGaAsP STRAINED MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1310 nm InGaAsP STRAINED MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1310 nm InGaAsP STRAINED MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE
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