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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> IS61LF102418B-7.5TQLI
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IS61LF102418B-7.5TQLI

产品描述Standard SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, LQFP-100
产品类别存储    存储   
文件大小2MB，共35页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
标准
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IS61LF102418B-7.5TQLI概述

Standard SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, LQFP-100

IS61LF102418B-7.5TQLI规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明LQFP,
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
最长访问时间7.5 ns
JESD-30 代码R-PQFP-G100
长度20 mm
内存密度18874368 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度18
功能数量1
端子数量100
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1MX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
座面最大高度1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度14 mm
Base Number Matches1

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IS61LF51236(32)B/IS61VF51236(32)B/IS61VVF51236(32)B
IS61LF102418B/IS61VF102436B/IS61VVF102418B
512K x36 and 1024K x18 18Mb,
SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH SRAM
OCTOBER 2015
FEATURES
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Internal self-timed write cycle
Individual Byte Write Control and Global Write
Clock controlled, registered address, data and
control
Burst sequence control using MODE input
Three chip enable option for simple depth
expansion and address pipelining
Common data inputs and data outputs
Auto Power-down during deselect
Single cycle deselect
Snooze MODE for reduced-power standby
JEDEC 100-pin QFP, 165-ball BGA and 119-ball
BGA packages
Power supply:
LF: V
DD
3.3V (± 5%), V
DDQ
3.3V/2.5V (± 5%)
VF: V
DD
2.5V (± 5%), V
DDQ
2.5V (± 5%)
VVF: V
DD
1.8V (± 5%), V
DDQ
1.8V (± 5%)
JTAG Boundary Scan for BGA packages
Commercial, Industrial and Automotive
temperature support
Lead-free available
For leaded options, please contact ISSI
DESCRIPTION
The 18Mb product family features high-speed, low-
power synchronous static RAMs designed to provide
burstable, high-performance memory for
communication and networking applications. The
IS61(64)LF/VF/VVF51236(32)B organized as 524,288
words by 36(32)bits. The IS61(64)LF/VF/VVF102418B
are organized as 1,048,576 words by 18 bits.
Fabricated with ISSI's advanced CMOS technology,
the device integrates a 2-bit burst counter, high-speed
SRAM core, and high-drive capability outputs into a
single monolithic circuit. All synchronous inputs pass
through registers controlled by a positive-edge-
triggered single clock input.
Write cycles are internally self-timed and are initiated
by the rising edge of the clock input. Write cycles can
be one to four bytes wide as controlled by the write
control inputs.
Separate byte enables allow individual bytes to be
written. The byte write operation is performed by using
the byte write enable (/BWE) input combined with one
or more individual byte write signals (/BWx). In
addition, Global Write (/GW) is available for writing all
bytes at one time, regardless of the byte write controls.
Bursts can be initiated with either /ADSP (Address
Status Processor) or /ADSC (Address Status Cache
Controller) input pins. Subsequent burst addresses can
be generated internally and controlled by the /ADV
(burst address advance) input pin.
The mode pin is used to select the burst sequence
order. Linear burst is achieved when this pin is tied
LOW. Interleave burst is achieved when this pin is tied
HIGH or left floating
•
•
•
•
FAST ACCESS TIME
Symbol
t
KQ
t
KC
Parameter
Clock Access
Time
Cycle time
Frequency
-6.5
6.5
7.5
133
-7.5
7.5
8.5
117
Units
ns
ns
MHz
Copyright © 2015 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time without notice. ISSI assumes no
liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the latest version of this device specification before relying on
any published information and before placing orders for products.
Integrated Silicon Solution, Inc. does not recommend the use of any of its products in life support applications where the failure or malfunction of the product can reasonably be expected to cause
failure of the life support system or to significantly affect its safety or effectiveness. Products are not authorized for use in such applications unless Integrated Silicon Solution, Inc. receives written
assurance to its satisfaction, that:
a.) the risk of injury or damage has been minimized;
b.) the user assume all such risks; and
c.) potential liability of Integrated Silicon Solution, Inc is adequately protected under the circumstances
Integrated Silicon Solution, Inc.- www.issi.com
Rev. C
09/12/2015
1

IS61LF102418B-7.5TQLI相似产品对比

IS61LF102418B-7.5TQLI IS61LF51236B-7.5TQLI IS61LF102418B-7.5TQ IS61LF102418B-6.5TQLI IS61LF51236B-6.5TQLI IS61LF102418B-6.5TQLI-TR IS61LF51236B-6.5TQLI-TR IS61LF51236B-7.5B3LI IS61LF51236B-7.5TQLI-TR
描述 Standard SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, LQFP-100 Standard SRAM, 512KX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, LQFP-100 1M X 18 STANDARD SRAM, 7.5ns, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, LQFP-100 Standard SRAM, 1MX18, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, LQFP-100 Standard SRAM, 512KX36, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, LQFP-100 Standard SRAM, IC SRAM 18MBIT 6.5NS 100LQFP Standard SRAM, 512KX36, 7.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, LEAD FREE, TFBGA-165 IC SRAM 18MBIT 7.5NS 100TQFP
包装说明 LQFP, LQFP, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, LQFP-100 LQFP, LQFP, LQFP, LQFP, TBGA, LQFP,
Reach Compliance Code compliant compliant unknown compliant compliant compliant compli compli compli
最长访问时间 7.5 ns 7.5 ns 7.5 ns 6.5 ns 6.5 ns 6.5 ns 6.5 ns 7.5 ns 7.5 ns
JESD-30 代码 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PBGA-B165 R-PQFP-G100
长度 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm 15 mm 20 mm
内存密度 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bi 18874368 bi 18874368 bi
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 18 36 18 18 36 18 36 36 36
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 100 100 100 100 100 100 100 165 100
字数 1048576 words 524288 words 1048576 words 1048576 words 524288 words 1048576 words 524288 words 524288 words 524288 words
字数代码 1000000 512000 1000000 1000000 512000 1000000 512000 512000 512000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 70 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C - -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 1MX18 512KX36 1MX18 1MX18 512KX36 1MX18 512KX36 512KX36 512KX36
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LQFP LQFP LQFP LQFP LQFP LQFP LQFP TBGA LQFP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
座面最大高度 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.2 mm 1.6 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V
最小供电电压 (Vsup) 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING BALL GULL WING
端子节距 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 1 mm 0.65 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD BOTTOM QUAD
宽度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 13 mm 14 mm
是否Rohs认证 符合 符合 - 符合 符合 符合 符合 符合 符合
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
厂商名称 - Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI )
Factory Lead Time - 10 weeks - 10 weeks 10 weeks 10 weeks 10 weeks 10 weeks 10 weeks

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