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NM93CS46TLZN

产品描述64 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8
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文件大小108KB,共13页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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NM93CS46TLZN概述

64 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8

64 × 16 总线串行电可擦除只读存储器, PDIP8

NM93CS46TLZN规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP8,.3
针数8
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性DATA RETENTION=40 YEARS
最大时钟频率 (fCLK)0.25 MHz
数据保留时间-最小值40
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDIP-T8
JESD-609代码e0
长度9.817 mm
内存密度1024 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度16
功能数量1
端子数量8
字数64 words
字数代码64
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64X16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
串行总线类型MICROWIRE
最大待机电流0.000001 A
最大压摆率0.001 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)15 ms
写保护HARDWARE/SOFTWARE

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NM93C46 1024-Bit Serial CMOS EEPROM
(MICROWIRE
TM
Synchronous Bus)
February 2000
NM93C46
1024-Bit Serial CMOS EEPROM
(MICROWIRE™ Synchronous Bus)
General Description
NM93C46 is a 1024-bit CMOS non-volatile EEPROM organized
as 64 x 16-bit array. This device features MICROWIRE interface
which is a 4-wire serial bus with chipselect (CS), clock (SK), data
input (DI) and data output (DO) signals. This interface is compat-
ible to many of standard Microcontrollers and Microprocessors.
There are 7 instructions implemented on the NM93C46 for various
Read, Write, Erase, and Write Enable/Disable operations. This
device is fabricated using Fairchild Semiconductor floating-gate
CMOS process for high reliability, high endurance and low power
consumption.
“LZ” and “L” versions of NM93C46 offer very low standby current
making them suitable for low power applications. This device is
offered in both SO and TSSOP packages for small space consid-
erations.
Features
I
Wide V
CC
2.7V - 5.5V
I
Typical active current of 200µA
10µA standby current typical
1µA standby current typical (L)
0.1µA standby current typical (LZ)
I
No Erase instruction required before Write instruction
I
Self timed write cycle
I
Device status during programming cycles
I
40 year data retention
I
Endurance: 1,000,000 data changes
I
Packages available: 8-pin SO, 8-pin DIP, 8-pin TSSOP
Functional Diagram
CS
SK
DI
INSTRUCTION
REGISTER
V
CC
INSTRUCTION
DECODER
CONTROL LOGIC
AND CLOCK
GENERATORS
ADDRESS
REGISTER
HIGH VOLTAGE
GENERATOR
AND
PROGRAM
TIMER
DECODER
EEPROM ARRAY
16
READ/WRITE AMPS
16
V
SS
DATA IN/OUT REGISTER
16 BITS
DO
DATA OUT BUFFER
© 2000 Fairchild Semiconductor International
NM93C46 Rev. E
1
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