Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 1N60AG-B-T92-B

1N60AG-B-T92-B: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 650V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92, HALOGEN FREE PACKAGE-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小197KB，共8页; 制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD; 官网地址http://www.unisonic.com.tw/; 标准

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1N60AG-B-T92-B概述

Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 650V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92, HALOGEN FREE PACKAGE-3

1N60AG-B-T92-B规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	TO-92
包装说明	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
雪崩能效等级（Eas）	50 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	650 V
最大漏极电流 (ID)	0.5 A
最大漏源导通电阻	15 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-92
JESD-30 代码	O-PBCY-T3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	2 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

1N60A

0.5 Amps, 600/650 Volts

N-CHANNEL MOSFET

DESCRIPTION

The UTC

1N60A

is a high voltage MOSFET and is designed to

have better characteristics, such as fast switching time, low gate

charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche

characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed

switching applications in power supplies, PWM motor controls, high

efficient DC to DC converters and bridge circuits.

Power MOSFET

FEATURES

* R

DS(ON)

=15Ω@V

= 10V.

* Ultra Low gate charge (typical 8.0nC)

* Low reverse transfer capacitance (C

RSS

= 3.0 pF(max))

* Fast switching capability

* Avalanche energy specified

* Improved dv/dt capability, high ruggedness

SYMBOL

2.Drain

1.Gate

3.Source

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Lead Free

Halogen Free

1N60AL-x-T92-B

1N60AG-x-T92-B

1N60AL-x-T92-K

1N60AG-x-T92-K

Note: Pin Assignment: G: Gate D: Drain S: Source

1N60AL-x-T92-B

(1)Packing Type

(2)Package Type

(3)Drain-Source Voltage

(4)Lead Plating

(2) T92: TO-92

(3) A: 600V, B: 650V

(4) H: Halogen Free, L: Lead Free

Package

TO-92

Pin Assignment

Packing

Tape Box

Bulk

(1) B: Tape Box, K: Bulk

www.unisonic.com.tw

1 of 8

QW-R502-091,E

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描述	Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 650V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92, HALOGEN FREE PACKAGE-3	Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 650V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92, LEAD FREE PACKAGE-3	Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 650V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92, LEAD FREE PACKAGE-3	Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 600V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92, HALOGEN FREE PACKAGE-3	Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 600V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92, HALOGEN FREE PACKAGE-3	Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 600V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92, LEAD FREE PACKAGE-3	Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 650V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92, HALOGEN FREE PACKAGE-3	Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 600V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92, LEAD FREE PACKAGE-3
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
零件包装代码	TO-92	TO-92	TO-92	TO-92	TO-92	TO-92	TO-92	TO-92
包装说明	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数	3	3	3	3	3	3	3	3
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
Is Samacsys	N	N	N	N	N	N	N	N
雪崩能效等级（Eas）	50 mJ	50 mJ	50 mJ	50 mJ	50 mJ	50 mJ	50 mJ	50 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	650 V	650 V	650 V	600 V	600 V	600 V	650 V	600 V
最大漏极电流 (ID)	0.5 A	0.5 A	0.5 A	0.5 A	0.5 A	0.5 A	0.5 A	0.5 A
最大漏源导通电阻	15 Ω	15 Ω	15 Ω	15 Ω	15 Ω	15 Ω	15 Ω	15 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-92	TO-92	TO-92	TO-92	TO-92	TO-92	TO-92	TO-92
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元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
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最大脉冲漏极电流 (IDM)	2 A	2 A	2 A	2 A	2 A	2 A	2 A	2 A
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晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
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