Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, M215, 7 PIN
| 参数名称 | 属性值 |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 |
| 针数 | 7 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| Is Samacsys | N |
| 其他特性 | HIGH SPEED |
| 最大集电极电流 (IC) | 150 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 1200 V |
| 配置 | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最大降落时间（tf） | 500 ns |
| JESD-30 代码 | R-XUFM-X7 |
| 元件数量 | 2 |
| 端子数量 | 7 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 2400 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 1200 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | UNSPECIFIED |
| 端子位置 | UPPER |
| 晶体管应用 | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| VCEsat-Max | 3.5 V |
| Base Number Matches | 1 |
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