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OM150L120CMD

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小41KB,共2页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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OM150L120CMD概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel,

OM150L120CMD规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码R-XUFM-X7
JESD-609代码e0
元件数量2
端子数量7
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)235
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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205 Crawford St. Leominster, MA 01453 (978)534-5776 Fax(978)537-4246, www.omnirel.com
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
OM150L120CMD (Tc= 25°C unless otherwise specified)
°
Symbol
V
CES
I
CES
I
GES
V
GE(TH)
V
CE(SAT)
Min.
1200
2
100
4.5
6.5
2.6
Typ.
Max
Unit
V
µA
µA
V
V
Characteristic
OFF CHARACTERISTICS
Collector Emitter Breakdown Voltage, V
CE
=0V
Zero Gate Voltage Drain Current, V
GE
=0, V
CE
=1200V
Gate Emitter Leakage Current, V
GE
=+/-15V, V
CE
=0V
ON CHARACTERISTICS
Gate Threshold Voltage, V
CE
=V
GE,
I
C
=6mA
Collector Emitter Saturation Voltage, V
GE
=15V, IC=150A
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Fwd. Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Rev. Transfer Capacitance
V
CE
=5V, I
C
=150A
V
GE
=0
V
CE
=25V
f=1.0MHz
gfs
Cies
Coes
Cres
17
14
1.75
1.2
S
nF
nF
nF
SWITCHING INDUCTIVE LOAD CHARACTERISTICS
Turn-On Delay Time
Rise Time
V
CC
= 600V, I
C
=150A
Turn-on Losses
V
GE
=+15/-10V, R
G
=5.1Ω
Turn-off Delay Time
L=100µH
Fall Time
Turn-off Losses
DIODE CHARACTERISTICS
Maximum Forward Voltage
t(on)
tr
Eon
td(off)
tf
Eoff
400
250
nS
nS
mJ
nS
nS
mJ
800
200
Reverse Recovery
Characteristics
I
F
=150A, Tj=25°C
Tj=125°C
V
R
=600V, Tj=25°C
I
F
=150A, Tj=125°C
dI/dt=-1500A/µS Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
V
F
Qrr
Irr
trr
2.8
2.3
16
33
V
µC
A
200
400
nS
THERMAL AND MECHANICAL CHARACTERISTICS
Thermal Resistance, Junction to Case (Per IGBT)
Thermal Resistance, Junction to Case (Per Diode)
Maximum Junction Temperature
Isolation Voltage
Screw Torque
Mounting
Screw Torque (M6)
Terminals
Screw Torque (M3)
Terminals
Module Weight
R
thJC
R
thJC
T
jMAX
Vis
RMS
-
-
-
15
10
6
320
0.11
0.20
150
2500
20
15
8
°C/W
°C/W
°C
V
in-lb
in-lb
in-lb
Grams
12/9/98
Rev.03
1

 
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