Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HM5251325CBP-B6

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HM5251325CBP-B6: 产品描述16MX32 SYNCHRONOUS DRAM, 6ns, PBGA108, 14 X 22 MM, BGA-108; 产品类别存储存储; 文件大小68KB，共14页; 制造商Renesas(瑞萨电子); 官网地址https://www.renesas.com/

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HM5251325CBP-B6概述

16MX32 SYNCHRONOUS DRAM, 6ns, PBGA108, 14 X 22 MM, BGA-108

HM5251325CBP-B6规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	BGA
包装说明	BGA,
针数	108
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PBGA-B108
JESD-609代码	e1
长度	22 mm
内存密度	536870912 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	32
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	108
字数	16777216 words
字数代码	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	16MX32
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	2.35 mm
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN SILVER COPPER
端子形式	BALL
端子节距	1.27 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

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HM5251325C-75/A6/B6

512M LVTTL interface SDRAM

133 MHz/100 MHz

4-Mword

32-bit

4-bank

PC/133, PC/100 SDRAM

ADE-203-1245B (Z)

Rev. 1.0

Nov. 16, 2001

Description

The Hitachi HM5251325C is a 512-Mbit SDRAM organized as 4194304-word

32-bit

4-bank. All inputs

and outputs are referred to the rising edge of the clock input. It is packaged in standard 108-bump BGA . The

datasheet “256-Mbit SDRAM Operation Guide”(ADE-203-1270A(Z)) presents detailed information on the

functions, operating specifications and timing waveforms of this SDRAM.

Features

•

Single chip wide bit solution (× 32)

3.3 V power supply

Clock frequency: 133 MHz/100 MHz (max)

LVTTL interface

Extremely small foot print: 1.27 mm pitch



Package: BGA (BP-108)

4 banks can operate simultaneously and independently

Burst read/write operation and burst read/single write operation capability

Programmable burst length: 1/2/4/8

2 variations of burst sequence



Sequential (BL = 1/2/4/8)



Interleave (BL = 1/2/4/8)

Programmable

CAS

latency: 2/3

Byte control by DQMB

Refresh cycles: 8192 refresh cycles/64 ms

•

HM5251325CBP-B6相似产品对比

	HM5251325CBP-B6	HM5251325CBP-A6	HM5251325CBP-75
描述	16MX32 SYNCHRONOUS DRAM, 6ns, PBGA108, 14 X 22 MM, BGA-108	16MX32 SYNCHRONOUS DRAM, 6ns, PBGA108, 14 X 22 MM, BGA-108	16MX32 SYNCHRONOUS DRAM, 6ns, PBGA108, 14 X 22 MM, BGA-108
零件包装代码	BGA	BGA	BGA
包装说明	BGA,	BGA,	BGA,
针数	108	108	108
Reach Compliance Code	unknown	compliant	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	6 ns	6 ns	6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PBGA-B108	R-PBGA-B108	R-PBGA-B108
JESD-609代码	e1	e1	e1
长度	22 mm	22 mm	22 mm
内存密度	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	32	32	32
功能数量	1	1	1
端口数量	1	1	1
端子数量	108	108	108
字数	16777216 words	16777216 words	16777216 words
字数代码	16000000	16000000	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C
组织	16MX32	16MX32	16MX32
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	BGA	BGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	2.35 mm	2.35 mm	2.35 mm
自我刷新	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER
端子形式	BALL	BALL	BALL
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	14 mm	14 mm	14 mm
Is Samacsys	N	N	-
Base Number Matches	1	1	-

HM5251325CBP-B6

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HM5251325CBP-B6规格参数

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