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CY7C1380B-166BGC: 产品描述Cache SRAM, 512KX36, 3.4ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, FBGA-119; 产品类别存储存储; 文件大小861KB，共30页; 制造商Cypress(赛普拉斯)

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CY7C1380B-166BGC概述

Cache SRAM, 512KX36, 3.4ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, FBGA-119

CY7C1380B-166BGC规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	BGA
包装说明	14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, FBGA-119
针数	119
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
Is Samacsys	N
最长访问时间	3.4 ns
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e0
长度	22 mm
内存密度	18874368 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	36
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	119
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	512KX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装等效代码	BGA119,7X17,50
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	220
电源	2.5/3.3,3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	2.4 mm
最大待机电流	0.015 A
最大压摆率	0.23 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	1.27 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

CY7C1380B-166BGC相似产品对比

	CY7C1380B-166BGC	CY7C1380B-166AC	CY7C1382B-166AC	CY7C1382B-166BGC
描述	Cache SRAM, 512KX36, 3.4ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, FBGA-119	Cache SRAM, 512KX36, 3.4ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100	Cache SRAM, 1MX18, 3.4ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100	Cache SRAM, 1MX18, 3.4ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, FBGA-119
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	BGA	QFP	QFP	BGA
包装说明	14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, FBGA-119	14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100	14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100	14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, FBGA-119
针数	119	100	100	119
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	3.4 ns	3.4 ns	3.4 ns	3.4 ns
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz	166 MHz	166 MHz	166 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B119	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
长度	22 mm	20 mm	20 mm	22 mm
内存密度	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM
内存宽度	36	36	18	18
湿度敏感等级	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1
端子数量	119	100	100	119
字数	524288 words	524288 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	512000	512000	1000000	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	512KX36	512KX36	1MX18	1MX18
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	LQFP	LQFP	BGA
封装等效代码	BGA119,7X17,50	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	BGA119,7X17,50
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	220	225	225	220
电源	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	2.4 mm	1.6 mm	1.6 mm	2.4 mm
最大待机电流	0.015 A	0.015 A	0.015 A	0.015 A
最大压摆率	0.23 mA	0.23 mA	0.23 mA	0.23 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL	GULL WING	GULL WING	BALL
端子节距	1.27 mm	0.65 mm	0.65 mm	1.27 mm
端子位置	BOTTOM	QUAD	QUAD	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	30	30	NOT SPECIFIED
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm

CY7C1380B-166BGC

CY7C1380B-166BGC概述

CY7C1380B-166BGC规格参数

CY7C1380B-166BGC相似产品对比

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