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ISL12022MIBZ-T

产品描述Low Power RTC Module with Battery Backed SRAM, Integrated ±5ppm Temperature Sensor and Crystal; SOIC20; Temp Range: -40° to 85°C
产品类别嵌入式处理器和控制器    微控制器和处理器   
文件大小1MB,共33页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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ISL12022MIBZ-T在线购买

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ISL12022MIBZ-T概述

Low Power RTC Module with Battery Backed SRAM, Integrated ±5ppm Temperature Sensor and Crystal; SOIC20; Temp Range: -40° to 85°C

ISL12022MIBZ-T规格参数

参数名称属性值
Brand NameIntersil
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP20,.4
针数20
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time6 weeks
Is SamacsysN
最大时钟频率0.032 MHz
信息访问方法I2C
中断能力Y
JESD-30 代码R-PDSO-G20
JESD-609代码e3
长度12.8 mm
湿度敏感等级1
端子数量20
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP20,.4
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.65 mm
最大供电电压5.5 V
最小供电电压2.7 V
标称供电电压3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
最短时间SECONDS
处于峰值回流温度下的最长时间30
易失性NO
宽度7.5 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型TIMER, REAL TIME CLOCK
Base Number Matches1

文档解析

ISL12022M是一款高精度低功耗实时时钟模块,集成了温度补偿功能和电池备份SRAM。该器件采用20引脚SOIC封装,内置32.768kHz石英晶体,提供完整的时钟/日历功能,支持自动闰年修正和时间有效期至2099年。其核心优势在于集成的±5ppm温度补偿技术,通过嵌入式温度传感器和数字校准算法,在-40°C至+85°C范围内保持卓越的时序精度。 器件具备智能电源管理能力,支持主电源(VDD:2.7-5.5V)与备份电源(VBAT:1.8-5.5V)自动切换,备份模式下电流消耗低于1.6μA。提供128字节电池备份SRAM用于关键数据存储,并配备电源故障监视器、电池电压监测(85%/75%阈值报警)和掉电指示功能。时间戳记录器可捕获VDD-VBAT双向切换事件的具体时间。 通过I2C接口实现配置和控制,支持15种可编程频率输出(1/32Hz至32kHz)及多模式警报功能。典型应用包括智能电表、POS终端、打印设备、数码相机等需要高精度时间基准和低功耗运行的嵌入式系统。ISL12022M实时时钟模块将高精度时序管理与嵌入式存储功能集成于单芯片解决方案。其核心包含温度补偿振荡器,通过片上校准实现在全工作温度范围(-40°C至+85°C)内±5ppm的频率稳定性。模块化封装集成了32.768kHz晶体,简化了电路设计并提升抗干扰能力。 器件提供完整的计时功能,包括秒/分/时、星期/日期/月/年寄存器,支持24小时或AM/PM格式。自动夏令时调整功能可通过寄存器配置本地时区规则。电源系统采用双路供电架构,具备VBAT电压监测(可编程85%/75%阈值)和VDD掉电检测,切换过程由时间戳寄存器记录。128字节非易失SRAM在备份模式下保持数据完整性,通信接口采用标准I2C协议。 典型工作电流低于4.5μA(VDD模式),电池备份电流最大值1.6μA。中断/频率输出引脚复用设计支持可编程周期警报或时钟信号输出。适用于工业控制设备、医疗仪器及安防系统等对时间同步和低功耗有严格要求的应用场景。

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DATASHEET
ISL12022M
Low Power RTC with Battery Backed SRAM, Integrated ±5ppm Temperature
Compensation and Auto Daylight Saving
The
ISL12022M
device is a low power Real Time Clock (RTC)
with an embedded temperature sensor and crystal. Device
functions include oscillator compensation, clock/calendar,
power fail and low battery monitors, brownout indicator,
one-time, periodic or polled alarms, intelligent battery backup
switching, Battery Reseal™ function, and 128 bytes of
battery-backed user SRAM. Backup battery current draw is less
than 1.6µA over the temperature range. The device is offered
in a 20 Ld SOIC module that contains the RTC and an
embedded 32.768kHz quartz crystal. The calibrated oscillator
provides less than ±5ppm drift across the full -40°C to +85°C
temperature range.
The RTC tracks time with separate registers for hours, minutes,
and seconds. The calendar registers track date, month, year,
and day of the week and are accurate through 2099, with
automatic leap year correction.
Daylight Savings time adjustment is done automatically, using
parameters entered by the user. Power fail and battery
monitors offer user-selectable trip levels. The time stamp
function records the time and date of switchover from V
DD
to
V
BAT
power, and also from V
BAT
to V
DD
power.
FN6668
Rev.10.00
Oct 24, 2019
Features
• Embedded 32.768kHz quartz crystal in the package
• 20 Ld SOIC package (for DFN version, see the ISL12020M)
• Calendar
• On-chip oscillator temperature compensation
• 10-bit digital temperature sensor output
• 15 selectable frequency outputs
• Interrupt for alarm or 15 selectable frequency outputs
• Automatic backup to battery or supercapacitor
• V
DD
and battery status monitors
• Battery Reseal function to extend battery shelf life
• Power status brownout monitor
• Time stamp for battery switchover
• 128 bytes battery-backed user SRAM
• 1.6µA maximum battery current
• I
2
C Bus
• RoHS compliant
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ISL12022M
device page
Applications
• Utility meters
• POS equipment
• Printers and copiers
• Digital cameras
5
F
OUT
FREQUENCY ERROR (ppm)
1 NC
2 NC
3 NC
4 NC
SCHOTTKY DIODE
BAT54
BATTERY
3.0V
C2
0.1µF
5 NC
6 GND
7 V
BAT
8 GND
NC 20
NC 19
NC 18
NC 17
NC 16
GND 15
3.3V
C1
0.1µF
R1 R2 R3
10k 10k 10k
4
3
2
1
0
-1
-2
-3
-4
-5
-40
-20
0
20
40
TEMPERATURE (°C)
60
80
V
DD
= 3.3V
V
DD
= 5.5V
V
DD
= 2.7V
V
DD
14
IRQ/ 13
F
OUT
9 NC
12
SCL
11
10 NC
SDA
ISL12022M
IRQ/F
OUT
V
DD
SCL MCU
INTERFACE
SDA
GND
FIGURE 1. TYPICAL APPLICATION CIRCUIT
FIGURE 2.
OSCILLATOR ERROR vs TEMPERATURE
FN6668 Rev.10.00
Oct 24, 2019
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