Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1.5SMCJ11A_R1_00001

1.5SMCJ11A_R1_00001: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 11V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, HALOGEN FREE, PLASTIC, SMC, 2 PIN; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小215KB，共7页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档详细参数全文预览

1.5SMCJ11A_R1_00001概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 11V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, HALOGEN FREE, PLASTIC, SMC, 2 PIN

1.5SMCJ11A_R1_00001规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
包装说明	HALOGEN FREE, PLASTIC, SMC, 2 PIN
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
其他特性	UL RECOGNIZED
最大击穿电压	14 V
最小击穿电压	12.2 V
击穿电压标称值	13.1 V
最大钳位电压	18.2 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-214AB
JESD-30 代码	R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散	1500 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压	11 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子形式	C BEND
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

1.5SMCJ11A_R1_00001文档预览

下载PDF文档

全文
预览

1.5SMCJ SERIES

SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR PEAK PULSE POWER 1500 Watts

STAND-OFF VOLTAGE

5 to 220 Volts

Recongnized File # E210467

FEATURES

0.245(6.22)

0.280(7.11)

0.260(6.60)

0.012(0.305)

0.006(0.152)

0.103(2.62)

0.079(2.00)

0.008(0.203)

0.002(0.051)

0.128(3.25)

• For surface mounted applications in order to optimize board space.

• Glass passivated junction

• Low inductance

• Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability

Classification 94V-O

• High temperature soldering : 260°C /10 seconds at terminals

• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives

• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)

MECHANICAL DATA

• Case: JEDEC DO-214AB,Molded plastic over passivated junction.

• Terminals: Solder plated,solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Polarity: Color band denotes cathode end

• Standard Packaging: 16mm tape (EIA-481)

• Weight: 0.007 ounce, 0.021 gram

0.050(1.27)

0.030(0.76)

0.320(8.13)

0.305(7.75)

DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS

For Bidirectional use C or CA Suffix for types 1.5SMCJ5.0 thru types 1.5SMCJ220.

Electrical characteristics apply in both directions.

MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS

Rating at 25°Cambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load, 60Hz.

For Capacitive load derate current by 20%.

Rating

Peak Power Dissipation at T

=25

C, T

=1ms (Notes 1)

Peak Pulse Current on 10/1000μs waveform (Notes 1)

Typical Thermal Resistance Junction to Air (Notes 2)

Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single Half Sine-Wave

Superimposed on Rated Load (JECED Method) (Notes 3)

Operating Junction and Storage Temperature Range

Symbol

PPM

θJA

FSM

STG

Value

1500

See table

200

-55 to +150

Units

Watts

Amps

0.108(2.75)

0.220(5.59)

C/W

Amps

NOTES:

1.Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above T

=25°Cper

Fig. 2.

2.Mounted on 2.0mm

( .013mm thick) land areas.

3.Measured on 8.3ms , single half sine-wave or equivalent square wave , duty cycle= 4 pulses per minutes maximum.

4.A transient suppressor is selected according to the working peak reverse voltage (V

RWM

), which should be equal to or greater than the DC

or continuous peak operating voltage level.

November 5,2012-REV.03

PAGE . 1

推荐资源

基于AT89C52单片机最小系统接口电路

5V直流稳压电源

火线、零线自动鉴别器电路

采用热继电器防止Y形连接电支机断相运行电路

20、CASPER 1489型单色显示器的电源电路图

【TI 无线主题征集】+ 基于cc2530的ZIGBEE无线网络自学经验分享: 看着众多的成本展示，感觉自己做的完全就是一个屌丝级的东西，但是趁着夜黑风高拿出来露个脸从零开始学，一步一步摸索过来的，这些都是我在第一阶段说设计的东东（这么说的意思是掩盖了我现 ......; 54chenjq 无线连接

在protel99里怎么样将单位改为公制?: 在protel99里怎么样将单位改为公制?...; bg7jw 嵌入式系统

请问STM32F100c8内部晶振的批量使用经验: 请问STM32F100c8内部晶振的批量使用经验 1.出厂时的一致性? 2.调校好后,随温度变化的飘移量?......会不会影响串口115200bps的接传输准确性?...; vanlin1012 stm32/stm8

关于单片机的端口扩展: 用的是PLC936的单片机，端口不够用，所以用8574进行扩展的，但是现在8574采购不到，想寻求替代品，但是很难找，希望得到大家的建议。...; zhangting2015 NXP MCU

求气压传感器型号!: 我想用单片机做一个数字气压计,不知选用什么型号的气压传感器.这个数字气压计只是用来测量普通大气压强的,不是工业用的.谢谢!!...; sunjun530 单片机

求推荐：位移传感器选型: 本帖最后由 yhye2world 于 2019-8-6 13:06 编辑 1. 应用场景：用于测量签字笔笔尖的位移；位移传感器安装于笔管内部。 2. 参数要求：通用型的就行，没有特别的要求。 ......; yhye2world DIY/开源硬件专区

闪迪就 HBF 高带宽闪存结盟 SK 海力士，首款 AI 推理终端设备 2027 年初出样

8月7日消息，Sandisk闪迪在今年早些时候提出了HBF高带宽闪存概念。这是一种类似HBM内存但基于NAND的新型存储，专为AI推理工作负载而设计，能在相似成本下提供8~16倍于HBM解决方案的存储容量。而在美国加州当地时间6日，闪迪宣布与SK海力士签署一项谅解备忘录(MOU)，SK海力士也将参与HBF规范的制定。SK海力士的加入对闪迪...[详细]
贸泽授权代理Renesas Electronics新技术产品为设计工程师和采购员提供丰富多样的选择

2025年11月5日–全球半导体和电子产品授权代理商贸泽电子(MouserElectronics)即日起备货嵌入式应用安全解决方案知名供应商RenesasElectronics的全新产品。贸泽供应超过28,000种Renesas元器件，其中将近10,000种有库存且可立即发货，为客户提供Renesas广泛的全新解决方案组合，并且持续增加新品。RenesasRA8P1微控制...[详细]
智能设备广泛兴起，SmartDV将以定制化与功能安全IP及生态合作推动相关芯片设计

中国北京，2025年11月——向全球市场提供灵活、高度可配置、可定制的半导体设计知识产权（IP）和验证IP（VIP）的领先开发商SmartDVTechnologies™宣布，将出席于2025年11月20日-21日在成都•中国西部国际博览城隆重举办的“成渝集成电路2025年度产业发展论坛暨第三十一届集成电路设计业展览会（ICCAD-Expo2025）”。本届大会正值人工智能（AI）和边缘AI...[详细]
Bourns印度设计中心正式启用助力本地开发者获取先进技术、实现应用差异化

Bourns在印度班加罗尔（Bengaluru）开设全新设计中心，Bourns位于班加罗尔的顶尖设施，配备解决关键设计难题所需的核心工具与专业技术支持全球领先的电源、保护与传感解决方案电子元器件制造商及供应商Bourns公司（Bourns,Inc.）今日宣布，其在印度的首个设计中心于班加罗尔正式启用。该中心作为专注于客户协作与创新的枢纽，将为本地客户提供全面的工具支持与技术服务，包括采用...[详细]
印度推出一款基于RISC-V的宽带网络SoC

印度无晶圆厂半导体初创企业AheesaDigitalInnovations已完成一款本土设计、基于RISC-V架构的宽带网络片上系统（SoC）的流片工作，该芯片命名为VIHAAN-I，专为电信运营商向家庭和办公场所提供最后一公里连接的光纤接入网络打造。这款芯片适用于千兆无源光网络（GPON）和以太网无源光网络（EPON）的光网络终端应用，将作为Aheesa旗下Seshn...[详细]
历时一个多月，三星印度工厂工人结束罢工

10月16日消息，三星电子印度分公司周二表示，该公司印度南部泰米尔纳德邦工厂的工人已决定结束罢工，但未透露和解条款。这次罢工得到了印度全国贸易联盟中心（CITU）的支持，是近年来印度最大的劳资纠纷之一，给印度总理纳伦德拉・莫迪吸引投资者在当地进行制造业投资的努力蒙上了阴影。三星印度表示，该公司对CITU决定结束罢工表示欢迎。该工厂雇用了约1800名正式员工，生产冰箱、电视机和洗...[详细]
科学家成功研发可弯曲的非硅柔性芯片，成本不到 1 美元

9月30日消息，英国芯片制造商PragmaticSemiconductor开发了一种“采用柔性技术，在弯曲状态下仍能完全运行”的32位微处理器。这款名为Flex-RV的处理器不是为了赢得性能基准测试，而是创造一种新的弯曲计算解决方案，以适应非传统的应用场景。尽管如此，其仍然包含一个可编程的机器学习硬件加速器和RISC-V指令，因此可以完成一些简单的AI任务。据...[详细]
DigiKey 12月盛大启幕：年度DigiWish佳节献礼，助力推动科技创新

DigiKey是全球领先的电子元器件和自动化产品库存分销商，提供种类齐全的产品以供即时发货。DigiKey欣然宣布，将于2024年12月1日全球启动其第16届年度DigiWish佳节献礼活动，而中国区专属活动也会紧接于12月2日启动。作为公司持续助力工程师、设计师和制造者加速创新与发展的使命之一，DigiKey提前拉开节日序幕，将选出24名幸运获奖者。2024年度DigiWish...[详细]
国产半导体产业的“朱日和”，IC China2020再度来袭

中国的战争史虽然经历丰富，但在先进科技方面经常落后于其他军事强国，于是，从80年代后期开始将朱日和合同战术训练基地列为重点发展目标，提升我军的作战实力，努力与世界各国平等交流。“朱日和”在蒙文是“心脏”的意思，也比喻着中心。由此，我们不免想到，在中美贸易战持续对峙2年之久的今天，我们是否也拥有了类似于朱日和训练基地这样的“磨刀石”、“历练场”，来提升国产半导体的经济实力和技术水平？...[详细]
百年诞辰，忆半导体破冰者、首位大学女校长谢希德

2021年3月19日，是中国半导体“破冰者”谢希德先生百年诞辰这位与中国共产党同岁的科学家，是享誉海内外的固体物理学家，我国半导体物理学科的开创者之一，新中国成立后第一位大学女校长她如同一位斗士，于满身病痛中在教育、科研领域奋斗了数十载，更为我国留下培养了宝贵的第一批半导体人才走近谢先生，可以窥见中国“芯”筚路蓝缕的起步之路，更为如今卡脖子技术的加速攻关提供启示首发：“新华每日...[详细]
GAA FET将为2nm、3nm发展铺平道路

一些晶圆代工厂仍在基于下一代全能栅极晶体管开发新工艺，包括更先进的高迁移率版本，但是将这些技术投入生产将是困难且昂贵的。英特尔、三星、台积电和其他公司正在为从今天的FinFET晶体管向3nm和2nm节点的新型全栅场效应晶体管（GAAFET）过渡奠定基础，这种过渡将从明年或2023年开始。GAAFET将被用于3nm以下，拥有更好的性能，更低的功耗和更低的漏电压。虽然GAAFET晶体管被...[详细]
先进的光刻技术不止有光刻机就这么简单

近两年来，芯片制造成为了半导体行业发展的焦点。芯片制造离不开光刻机，而光刻技术则是光刻机发展的重要推动力。在过去数十载的发展中，光刻技术也衍生了多个分支，除了光刻机外，还包括光源、光学元件、光刻胶等材料设备，也形成了极高的技术壁垒和错综复杂的产业版图。为了促进全球光刻技术的发展与交流，由中国集成电路创新联盟和中国光学学会主办，中国科学院微电子研究所、中科芯未来微电子科技成都有限公司和中国科...[详细]
2019慕尼黑上海电子展6大关键词

3月春暖花开日，一年“两会”（electronicaChina＆productronicaChina）到来时。在电子制造盛会大幕将要拉开之际，e星球重磅发布以下六大关键词。关键词1未来汽车虽然2018年对于汽车行业来说不是那么的美好，但是随着人们对汽车安全性、舒适性、智能性等方面的需求日益提升，电子化、信息化、网络化和智能化依旧是汽车技术的未来发展方向。5G、AI等技术的...[详细]
中国集成电路特色工艺及封装测试联盟在渝成立

今（22）日，中国集成电路特色工艺及封装测试联盟在渝成立。记者周晓雪摄华龙网-新重庆客户端1月22日21时55分讯（记者周晓雪实习生邱小雅）今（22）日，联合微电子中心携手50余家产业链上下游企业、科研院所等，联合倡议成立了中国集成电路特色工艺及封装测试联盟。该联盟将整合国内晶圆厂、封测厂、中试线等领域相关资源，覆盖材料、器件、工艺、装备全产业链，推动行业特色工艺共性技术的整体...[详细]
电子科技大学张波谈后摩尔时代的特色工艺及中国发展机遇

在第二届中国（成都）电子展集成电路产业发展高峰论坛上，电子科技大学集成电路中心主任张波教授做了“后摩尔时代的特色工艺及中国发展机遇”的主旨演讲。张波教授从集成电路工艺的发展和特色工艺的特点出发，介绍了中国特色工艺的产业基础和市场环境，并分析了特色工艺在中国的发展机遇。张波教授表示，说到半导体工艺的发展，怎么也绕不开摩尔定律。1965年，当时还是...[详细]

小广播

热搜元器件