128K X 18 DUAL-PORT SRAM, 12 ns, PBGA208
参数名称 | 属性值 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 208 |
最大工作温度 | 85 Cel |
最小工作温度 | -40 Cel |
最大供电/工作电压 | 3.45 V |
最小供电/工作电压 | 3.15 V |
额定供电电压 | 3.3 V |
最大存取时间 | 12 ns |
加工封装描述 | 15 × 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FPBGA-208 |
状态 | ACTIVE |
工艺 | CMOS |
包装形状 | SQUARE |
包装尺寸 | GRID 阵列, THIN PROFILE, FINE PITCH |
表面贴装 | Yes |
端子形式 | BALL |
端子间距 | 0.8000 mm |
端子涂层 | 锡 铅 |
端子位置 | BOTTOM |
包装材料 | 塑料/环氧树脂 |
温度等级 | INDUSTRIAL |
内存宽度 | 18 |
组织 | 128K × 18 |
存储密度 | 2.36E6 deg |
操作模式 | ASYNCHRONOUS |
位数 | 131072 words |
位数 | 128K |
内存IC类型 | 双端口静态随机存储器 |
串行并行 | 并行 |
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