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SS10PH10HG3/86A

产品描述DIODE 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A, GREEN, PLASTIC, SMPC, 3 PIN, Rectifier Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小109KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SS10PH10HG3/86A概述

DIODE 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A, GREEN, PLASTIC, SMPC, 3 PIN, Rectifier Diode

SS10PH10HG3/86A规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-277
包装说明R-PDSO-F3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT, HIGH RELIABILITY
应用HIGH VOLTAGE
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.74 V
JEDEC-95代码TO-277A
JESD-30 代码R-PDSO-F3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流200 A
元件数量1
相数1
端子数量3
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
Base Number Matches1

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New Product
SS10PH9 & SS10PH10
Vishay General Semiconductor
High Current Density Surface Mount
High-Voltage Schottky Rectifier
eSMP
TM
Series
K
FEATURES
• Very low profile - typical height of 1.1 mm
• Ideal for automated placement
• Guardring for overvoltage protection
• High barrier technology, T
J
= 175 °C
maximum
1
• Low leakage current
• Meets MSL level 1, per J-STD-020
• Solder dip 260 °C, 40 s
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC
and WEEE 2002/96/EC
Halogen-free
MECHANICAL DATA
Case:
TO-277A (SMPC)
Molding compound meets UL 94V-0 flammability
rating.
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade
Base P/NHE3 - RoHS compliant, high reliability/
automotive grade (AEC-Q101 qualified)
Base P/N-M3 - halogen-free and RoHS compliant,
commercial grade
Base P/NHM3 - halogen-free and RoHS compliant,
high reliability/automotive grade (AEC-Q101 qualified)
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD22-B102
E3 and M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker
test, HE3 and HM3 suffix meets JESD 201 class 2
whisker test
2
TO-277A (SMPC)
K
Cathode
Anode 1
Anode 2
PRIMARY CHARACTERISTICS
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
E
AS
V
F
at I
F
= 10 A
I
R
T
J
max.
10 A
90 V, 100 V
200 A
20 mJ
0.661 V
0.3 µA
175 °C
TYPICAL APPLICATIONS
For use in high frequency rectifier of switching
mode power supplies, freewheeling diodes, dc-to-dc
converters or polarity protection application.
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Device marking code
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum average forward rectified current (Fig. 1)
Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Non-repetitive avalanche energy at I
AS
= 2 A, L = 10 mH, T
J
= 25 °C
Operating junction and storage temperature range
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
E
AS
T
J,
T
STG
SYMBOL
SS10PH9
10H9
90
10
200
20
- 55 to + 175
SS10PH10
10H10
100
V
A
A
mJ
°C
UNIT
Document Number: 89000
Revision: 30-Jul-08
For technical questions within your region, please contact one of the following:
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
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