电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

1N4148-TP

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 75V V(RRM), Silicon, DO-35, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小228KB,共4页
制造商Micro Commercial Components (MCC)
标准
下载文档 详细参数 全文预览

1N4148-TP在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
1N4148-TP - - 点击查看 点击购买

1N4148-TP概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 75V V(RRM), Silicon, DO-35, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2

1N4148-TP规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-35
包装说明O-XALF-W2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Samacsys Confidence4
Samacsys StatusReleased
Samacsys PartID614238
Samacsys Pin Count2
Samacsys Part CategoryDiode
Samacsys Package CategoryDiodes, Axial Diameter Horizontal Mounting
Samacsys Footprint NameDO-35_1
Samacsys Released Date2018-06-29 11:17:08
Is SamacsysN
其他特性HIGH RELIABILITY, METALLURGICALLY BONDED
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-XALF-W2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流2 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最大输出电流0.15 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压75 V
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
MCC
TM
Micro Commercial Components
  omponents
20736 Marilla Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
1N4148
Features
High Reliability
Low Current Leakage
Metalurgically Bonded Construction
Moisture Sensitivity Level 1
Marking : Cathode band and type number
Lead Free Finish/Rohs Compliant (Note1) ("P"Suffix designates
Compliant. See ordering information)
500mW High Speed
Switching Diode
100 Volt
DO-35
Maximum Ratings
Operating Temperature: -65 to +175
Storage Temperature: -65 to +175
Maximum Thermal Resistance: 300K/W Junction To Ambient
Electrical Characteristics @ 25
Reverse Voltage
Breakdown Voltage
Average Forward
Current
Power Dissipation
Junction
Temperature
Peak Forward Surge
Current
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
Maximum Junction
Capacitance
Maximum Reverse
Recovery Time
V
R
V
BR
I
O
P
TOT
T
J
Unless Otherwise Specified
75V
100V
150mA
500mW
175
B
D
A
Cathode
Mark
I
R
=100 A
D
I
FSM
2.0A
t
p
= 1.0 s
V
F
1.0V
I
FM
= 10mA
C
I
R
25nA
5.0µA
50µA
4.0pF
V
R
=20V; T
J
= 25
V
R
=75V; T
J
= 25
V
R
=20V; T
J
=150
Measured at
1.0MHz, V
R
=0V
I
F
=10mA; V
R
= 6V
R
L
=100Ω
DIM
A
B
C
D
INCHES
MIN
---
---
---
1.000
DIMENSIONS
MM
MIN
---
---
---
25.40
C
J
MAX
.166
.079
.020
---
MAX
4.2
2.00
.52
---
NOTE
T
rr
4.0ns
*Pulse test: Pulse width 300
µsec,
Duty cycle 2%
Note:
1. Lead in Glass Exemption Applied, see EU Directive Annex 7(C)-I.
Revision:
C
www.mccsemi.com
1 of 4
2013/02/18
电脑高手的修炼方法
单但凡坛子里泡的大都喜爱电子技术,但凡与电子技术有关的大部都与电脑挂钩; 所以电脑的管理与维护就成了我们电子爱好者们的必修课 初步的包括最常使用的快捷键, 然后是命令提示符, 注册 ......
yaoyong 聊聊、笑笑、闹闹
我整理的2007年电赛题目汇总
本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 09:05 编辑 我整理的2007年电赛题目汇总 这里面只有题目,以备2009电赛做个参考猜测,还希望有参加过2007年电赛各位大虾,一起讨论,把您们的优秀作品拿出 ......
wen06990234 电子竞赛
Keil5.18函数不支持缺省参数?
初学者,才装上的;平时用过C/C++写些小程序; 写了个函数,想留个缺省参数,发现系统提示不支持…… 是我的方法不 对?还是本来就不支持? (另有网上说keil5.15以上可以支持c++,我按 ......
mini_peng stm32/stm8
新型电池技术为电子、混合动力车带来更便宜的能源(图)
作者:——Alix L.Paultre  日期:2006-6-1  来源:今日电子 MIT的研究者们正在开发用具有规则晶体结构的锂镍氧化锰材料制作电池的技术,希望用它来取代使用在混合动力和电动汽车上的电池。目 ......
fighting 模拟电子
我国手机用户约7.8亿 通用电池缘何“难产”
本帖最后由 jameswangsynnex 于 2015-3-3 19:59 编辑 早在2007年信产部就开始着手制定手机电池的统一标准,并在当年拟定出草案,预计在年底正式出台。这个消息一出,着实令许多消费者兴奋了一 ......
探路者 消费电子
再來一個笑話
山东方言笑话 有着外省口音的老师在讲台上,很有感情地为大家读了一首题为「卧春」的诗, 并且要大家写在笔记本,这首词是这样的: 《卧春》 暗梅幽闻花,卧枝伤恨底 遥闻卧似水,易透达春绿, ......
panyaofeng 聊聊、笑笑、闹闹

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2001  2135  1367  276  1993  42  57  30  17  46 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved