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1N4935GP-BP

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小521KB,共4页
制造商Micro Commercial Components (MCC)
标准
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1N4935GP-BP概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

1N4935GP-BP规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-41
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性METALLURGICALLY BONDED
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.2 µs
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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MCC
Micro Commercial Components
TM
  omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
1N4933GP
THRU
1N4937GP

Features
available upon request by adding suffix "-HF"
Halogen
free
Glass Passivated Junction
Low Leakage Current and Fast Switching
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Moisture Sensitivity Level 1
Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) ("P"Suffix designates
Compliant. See ordering information)
Maximum Ratings
1 Amp Glass
Passivated Fast
Recovery Rectifier
50 - 600 Volts
DO-41
Operating Temperature: -55°C to + 150°C
-
Storage Temperature: - 55°C to +150°C
1
Maximum Thermal Resistance; 30
°C/W
Junction To Lead
MCC
Catalog
Number
Device
Marking
Maximum
Re
current
Peak
Reverse
Voltage
50V
100V
200V
400V
600V
Maximum
RMS
Voltage
Maximum
DC
Blocking
Voltage
50V
100V
200V
400V
600V
D
1N4933GP
1N4934GP
1N4935GP
1N4936GP
1N4937GP
1N4933GP
1N4934GP
1N4935GP
1N4936GP
1N4937GP
35V
70V
140V
280V
420V
A
Cathode
Mark
B
D
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
Peak Forward Surge
Current
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
Maximum Reverse
Recovery Time
Typical Junction
Capacitance
I
F(AV)
I
FSM
1.0A
30A
T
A
=55°C
C
8.3ms, half sine
V
F
1.3V
I
FM
= 1.0A;
T
J
= 25°C*
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
T
J
= 125°C
I
F
=1.0A,
V
R
=30V
Measured at
1.0MHz,
V
R
=4.0V
DIMENSIONS
INCHES
MIN
.166
.080
.028
1.000
MM
MIN
4.10
2.00
.70
25.40
I
R
5.0µA
50µA
100µA
200ns
15pF
T
rr
C
J
DIM
A
B
C
D
MAX
.205
.107
.034
---
MAX
5.20
2.70
.90
---
NOTE
*Pulse test: Pulse width 300
µsec,
Duty cycle 1%
Note:
1.
High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.
Revision: B
www.mccsemi.com
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