1N4935GP: 产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41,; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小36KB，共2页; 制造商Fagor Electrónica; 标准

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1N4935GP概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41,

1N4935GP规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Fagor Electrónica
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.2 V
JEDEC-95代码	DO-41
JESD-30 代码	O-PALF-W2
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
最大非重复峰值正向电流	30 A
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-65 °C
最大输出电流	1 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	200 V
最大反向恢复时间	0.15 µs
表面贴装	NO
端子面层	TIN
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

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1N4933GP......1N4937GP

1 Amp. Glass Passivated Fast Recovery Rectifier

Dimensions in mm.

DO-41

(Plastic)

Voltage

50 to 600 V.

Current

1.0 A. at 75 °C.

+0.2

-0

58.5

± 0.5

Mounting instructions

1. Min. distance from body to soldering point,

4 mm.

2. Max. solder temperature, 350 °C.

3. Max. soldering time, 3.5 sec.

4. Do not bend lead at a point closer than

2 mm. to the body.

•

Glass passivated junction

•

High current capability

•

The plastic material carries

U/L recognition 94 V-0

•

Terminals: Axial Leads

•

Polarity: Color band denotes cathode

Maximum Ratings, according to IEC publication No. 134

1N4933GP

1N4934GP

100

1N4935GP

200

1N4936GP

400

1N4937GP

600

RRM

F(AV)

FRM

FSM

stg

RSM

Peak recurrent reverse voltage (V)

Forward current at Tamb = 75 °C

Recurrent peak forward current

8,3 ms. peak forward surge current

(Jedec Method)

1.0 A

10 A

30 A

150 ns

– 65 to + 175 °C

20 mJ

Max. reverse recovery

time from

= 0.5 A

= 1 A

= 0.25 A

Operating temperature range

Storage temperature range

Maximum non repetitive peak

reverse avalanche energy.

= 0.5 A ; T

= 25 ºC

Electrical Characteristics at Tamb = 25 °C

thj-a

Max. forward voltage drop at I

= 1 A

Max. reverse current at V

RRM

at 25

at 125

Max.

Thermal resistance (I = 10 mm.) Typ.

1.2 V

5µA

100 µ A

60 °C/W

45 °C/W

1N4935GP相似产品对比

	1N4935GP	1N4936GP	1N4934GP	1N4937GP	1N4933GP
描述	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41,	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-41,	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-41,	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-41,	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-41,
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.2 V	1.2 V	1.2 V	1.2 V	1.2 V
JEDEC-95代码	DO-41	DO-41	DO-41	DO-41	DO-41
JESD-30 代码	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2
JESD-609代码	e3	e3	e3	e3	e3
湿度敏感等级	1	1	1	1	1
最大非重复峰值正向电流	30 A	30 A	30 A	30 A	30 A
元件数量	1	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2	2
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C
最低工作温度	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C
最大输出电流	1 A	1 A	1 A	1 A	1 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	200 V	400 V	100 V	600 V	50 V
最大反向恢复时间	0.15 µs	0.15 µs	0.15 µs	0.15 µs	0.15 µs
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
端子面层	TIN	TIN	TIN	TIN	TIN
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
厂商名称	Fagor Electrónica	Fagor Electrónica	-	-	Fagor Electrónica
Is Samacsys	N	N	N	N	-
Base Number Matches	1	1	1	1	-