电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

1N5246B(DO-35)P

产品描述DIODE 16 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, DO-35, 2 PIN, Voltage Regulator Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小968KB,共4页
制造商Micro Commercial Components (MCC)
标准
下载文档 详细参数 全文预览

1N5246B(DO-35)P概述

DIODE 16 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, DO-35, 2 PIN, Voltage Regulator Diode

1N5246B(DO-35)P规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-35
包装说明DO-35, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
MCC
Features
  omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
1N5221
THRU
1N5267
500 mW
Zener Diode
2.4 to 75 Volts
Wide Voltage Range Available
Glass Package
High Temp Soldering: 250°C for 10 Seconds At Terminals
Maximum Ratings
Operating Temperature: -65°C to +200°C
Storage Temperature: -65°C to +200°C
500 mWatt DC Power Dissipation
Power Derating: 4.0mW/°C above 50°C
Forward Voltage @ 200mA: 1.1 Volts
Figure 1 - Typical Capacitance
100
DO-35
D
A
Cathode
Mark
pf
10
At zero volts
At –2 Volts V
R
D
B
1
0
100
V
Z
200
C
Typical Capacitance (pf) –
versus
– Zener voltage (V
Z
)
Figure 2 - Derating Curve
400
DIMENSIONS
mW
200
DIM
A
B
C
D
INCHES
MIN
---
---
---
1.000
MAX
.166
.079
.020
---
MM
MIN
---
---
---
25.40
MAX
4.2
2.00
.52
---
NOTE
25
100
150
200
Temperature
°C
Power Dissipation (mW) -
Versus
- Temperature
°C
Revision: 1
www.mccsemi.com
2003/12/19
过年了,送给想买东西回家送亲人的优惠卷
先说下这个优惠卷不知道能用不,反正在我的帐户下是能用的,我不知道在其他帐户下是什么情况,大家如果想要的话,可以试一下,说明:优惠卷为卓越的,满300减50的卷,本人在此声明下,不是托 ......
fxw451 聊聊、笑笑、闹闹
电子元器件基础知识——电子管
一、什么是电子管 电子管是一种在气密性封闭容器(一般为玻璃管)中产生电流传导,以获得信号放大或振荡的电子器件。早期应用于电视机、收音机扩音机等电子产品中,近年来逐渐被晶体 ......
咖啡不加糖 模拟电子
关于绿色电子产品常识10个问答
1、什么是RoHS指令?答:欧盟议会和欧盟理事会于2003年1月通过了RoHS指令(中文版),全称是The Restriction of the use of certain Hazardous substances in Electrical and Electronic Equipmen ......
fighting 电源技术
关于网络头数据字段丢失的问题-brew平台浏览器
同一套浏览器的代码运用到不同手机上面得到服务器的返回有差别, 平台 :BREW 正常的数据 HTTP/1.1 200 OK Server: Resin/3.1.3 Cache-Control: private Set-Cookie: cookieName=123; ......
zy7786879 嵌入式系统
PCB扫盲,图文并茂,欢迎补充
37395 37396 3739737398 本帖最后由 zero3360 于 2010-2-22 12:00 编辑 ]...
zero3360 PCB设计
晶体管栅介质物理、工艺和特性表征技术的演变
  氮氧化技术使SiO2的应用向45nm节点迈进。氮的引入是一项复杂的工艺,由于这一工艺诱发的界面陷获电荷对栅介质完整性十分关键,因此要求进行严格的控制。   栅介质是CMOS晶体管中的关键组 ......
heyuanbing PCB设计

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2051  1507  2689  191  1864  35  34  28  54  23 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved