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1N5813

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 75V V(RRM), Silicon, DO-4, HERMETICALLY SEALED PACKAGE-1
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小43KB,共1页
制造商SSDI
官网地址http://www.ssdi-power.com/
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1N5813概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 75V V(RRM), Silicon, DO-4, HERMETICALLY SEALED PACKAGE-1

1N5813规格参数

参数名称属性值
零件包装代码DO-4
包装说明O-MUPM-D1
针数1
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
应用ULTRA FAST RECOVERY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.9 V
JEDEC-95代码DO-4
JESD-30 代码O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流80 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流20 A
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压75 V
最大反向恢复时间0.03 µs
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
Base Number Matches1

1N5813相似产品对比

1N5813 Q36.0-JXS21P4-8-30/15-T1-FU-AEC-HMR
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 75V V(RRM), Silicon, DO-4, HERMETICALLY SEALED PACKAGE-1 Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 36MHz Nom, SMD, 4 PIN
包装说明 O-MUPM-D1 SMD, 4 PIN
Reach Compliance Code compliant compliant
最高工作温度 175 °C 85 °C
最低工作温度 -65 °C -40 °C
表面贴装 NO YES

 
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