Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Vishay(威世) |
| 包装说明 | E-XALF-W2 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| Is Samacsys | N |
| 应用 | FAST RECOVERY |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 1.1 V |
| JESD-30 代码 | E-XALF-W2 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 80 A |
| 元件数量 | 1 |
| 相数 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 200 °C |
| 最大输出电流 | 3 A |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | ELLIPTICAL |
| 封装形式 | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 600 V |
| 最大反向恢复时间 | 0.4 µs |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches | 1 |
| 1N5190 | 1N5186 | 1N5189 | 1N5187 | 1N5188 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon | Rectifier Diode, 1 Element, 3A, 500V V(RRM) | Rectifier Diode, 1 Element, 3A, 200V V(RRM) | Rectifier Diode, 1 Element, 3A, 400V V(RRM) |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Vishay(威世) | Vishay(威世) | Vishay(威世) | Vishay(威世) | Vishay(威世) |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 1.1 V | 1.1 V | 1.1 V | 1.1 V | 1.1 V |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 最高工作温度 | 200 °C | 200 °C | 175 °C | 200 °C | 200 °C |
| 最大输出电流 | 3 A | 3 A | 3 A | 3 A | 3 A |
| 最大重复峰值反向电压 | 600 V | 100 V | 500 V | 200 V | 400 V |
| 最大反向恢复时间 | 0.4 µs | 0.4 µs | 0.35 µs | 0.15 µs | 0.15 µs |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Is Samacsys | N | N | N | - | - |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | - | - |
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