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MV1N6507

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 8 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-14
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小81KB,共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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MV1N6507概述

Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 8 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-14

MV1N6507规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码DIP
包装说明R-CDIP-T14
针数14
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性LOW CAPACITANCE, HIGH RELIABILITY
最小击穿电压60 V
配置COMMON ANODE, 8 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-CDIP-T14
JESD-609代码e0
元件数量8
端子数量14
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.6 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

MV1N6507相似产品对比

MV1N6507 MSP1N6507 MQ1N6507 MX1N6507
描述 Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 8 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-14 Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 8 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-14 Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 8 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-14 Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 8 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-14
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi
零件包装代码 DIP DIP DIP DIP
包装说明 R-CDIP-T14 R-CDIP-T14 R-CDIP-T14 R-CDIP-T14
针数 14 14 14 14
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
Is Samacsys N N N N
其他特性 LOW CAPACITANCE, HIGH RELIABILITY LOW CAPACITANCE, HIGH RELIABILITY LOW CAPACITANCE, HIGH RELIABILITY LOW CAPACITANCE, HIGH RELIABILITY
最小击穿电压 60 V 60 V 60 V 60 V
配置 COMMON ANODE, 8 ELEMENTS COMMON ANODE, 8 ELEMENTS COMMON ANODE, 8 ELEMENTS COMMON ANODE, 8 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码 R-CDIP-T14 R-CDIP-T14 R-CDIP-T14 R-CDIP-T14
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
元件数量 8 8 8 8
端子数量 14 14 14 14
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性 UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散 0.6 W 0.6 W 0.6 W 0.6 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO
技术 AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1 1 1

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