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1N3900R

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 100V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小528KB,共1页
制造商IXYS
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1N3900R概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 100V V(RRM), Silicon,

1N3900R规格参数

参数名称属性值
厂商名称IXYS
包装说明O-MUPM-D1
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
应用FAST RECOVERY
外壳连接ANODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.67 V
JESD-30 代码O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流285 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度150 °C
最大输出电流20 A
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间0.2 µs
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
Base Number Matches1
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