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1N6304RE3

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小130KB,共3页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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1N6304RE3概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN

1N6304RE3规格参数

参数名称属性值
厂商名称Microsemi
包装说明DO-5, 1 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
应用ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接ANODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.975 V
JEDEC-95代码DO-203AB
JESD-30 代码O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流800 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流70 A
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
参考标准MIL-19500/550
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向电流25 µA
最大反向恢复时间0.06 µs
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
Base Number Matches1

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TECHNICAL DATA SHEET
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803
Website: http://www.microsemi.com
HIGH RELIABILITY ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIER
Qualified per MIL-PRF-19500/550
800 Amps Surge Rating
70 Amps Current Rating
VRRM 50 to 150 Volts
DEVICES
LEVELS
1N6304
1N6305
1N6306
1N6304R
1N6305R
1N6306R
JAN
JANTX
JANTXV
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C
= +25°C unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
Peak Repetitive Reverse Voltage
1N6304 / R
1N6305 / R
1N6306 / R
1N6304 / R
1N6305 / R
1N6306 / R
Symbol
V
RWM
Value
50
100
150
50
100
150
70
800
0.8
-65°C to 175°C
-65°C to 175°C
Unit
V
Peak Working Reverse Voltage
Average Forward Current, T
C
= 100°
V
RRM
I
F
I
FSM
R
θJC
T
J
T
stg
V
A
A
°C/W
°C
°C
Peak Surge Forward Current @ t
p
= 8.3ms, half sinewave, T
C
= 55°C
Thermal Resistance, Junction to Case
Operating Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
DO-203AB (DO-5)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= +25°C, unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
Forward Voltage
I
FM
= 70A, T
C
= 25°C*
Forward Voltage
I
FM
= 150A, T
C
= 25°C*
Forward Voltage
I
FM
= 70A, T
C
= 150°C*
Reverse Current
V
RM
= 50V, T
C
= 25°C
V
RM
= 100V, T
C
= 25°C
V
RM
= 150V, T
C
= 25°C
Reverse Current
V
RM
= 50V, T
C
= 150°C
V
RM
= 100V, T
C
= 150°C
V
RM
= 150V, T
C
= 150°C
Reverse Recovery Time
I
F
= 0.5A, I
R
= 1A
Reverse Recovery Time
I
F
= 70A
Capacitance Junction
V
R
= 10V, f = 1MHz, T
J
= 25°C
* Pulse test: Pulse width 300 µsec, Duty cycle 2%
T4-LDS-0146 Rev. 1 (091812)
Symbol
V
FM
V
FM
V
FM
1N6304 / R
1N6305 / R
1N6306 / R
1N6304 / R
1N6305 / R
1N6306 / R
Min.
Max.
0.975
1.18
0.84
Unit
V
V
V
I
RM
25
μA
I
RM
30
mA
T
rr
T
rr
C
J
50
60
600
ns
ns
pF
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