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1N6012C

产品描述Zener Diode, 33V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小70KB,共1页
制造商Central Semiconductor
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1N6012C概述

Zener Diode, 33V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35,

1N6012C规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明O-XALF-W2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗88 Ω
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-XALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压33 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差2%
工作测试电流5 mA
Base Number Matches1
LM4F231H5QR QEI功能 ph1A口 读不到脉冲?条件是phA1接入10-100KHZ的频率,
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