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1N5818G-TP

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon, DO-41, GLASS, DO-41G, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小114KB,共2页
制造商Micro Commercial Components (MCC)
标准
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1N5818G-TP概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon, DO-41, GLASS, DO-41G, 2 PIN

1N5818G-TP规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Micro Commercial Components (MCC)
零件包装代码DO-41
包装说明GLASS, DO-41G, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
最大输出电流1 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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MCC
Micro Commercial Components
TM
  omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
1N5817G
THRU
1N5819G
1.0 Amp Schottky
Barrier Rectifier
20 to 40 Volts
DO-41G
Features
Metal silicon junction, majority carrier conduction
For surface mount application
Low power loss, high efficiency
High current capability, low forward voltage drop.
High surge capability
For use in low voltage, high frequency inverters, free wheeling,
and polarity protection applications.
High temperature soldering guaranteed: 250°C/10 seconds at
terminals
Maximum Ratings
Case: Molded Glass Body
Operating Temperature: -55°C to +150°C
Storage Temperature: -55°C to +150°C
Typical Thermal Resistance; 30°C/W Junction To Lead
75°C/W Junction To Ambient
Maximum
Recurrent
Peak Reverse
Voltage
20V
30V
40V
I
F(AV)
I
FSM
Maximum DC
Blocking
Voltage
20V
30V
40V
T
A
= 25°C*
C
D
MCC
Part Number
1N5817G
1N5818G
1N5819G
Maximum
RMS Voltage
14V
21V
28V
1.0A
30A
A
Cathode
Mark
B
D
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
Peak Forward Surge
Current
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
Typical Junction
Capacitance
*Pulse test: Pulse width 300
8.3ms, half sine
V
F
0.5V
I
FM
= 1.0A;
T
J
= 25°C*
DIM
DIMENSIONS
INCHES
MM
NOTE
MIN
A
B
0.166
0.080
0.026
1.000
MAX
0.205
0.107
0.034
-----
MIN
4.10
2.00
0.70
25.40
MAX
7.60
3.60
0.90
-----
Diameter
Diameter
I
R
1.0mA
10mA
110pF
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
Measured at
1.0MHz, V
R
=4.0V
µsec,
Duty cycle 1%
C
J
C
D
Revision: 3
www.mccsemi.com
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