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U1ZB110TE12R

产品描述DIODE UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小87KB,共4页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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U1ZB110TE12R概述

DIODE UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor

U1ZB110TE12R规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大击穿电压121 V
最小击穿电压99 V
击穿电压标称值110 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-C2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1 W
认证状态Not Qualified
最大反向电流10 µA
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1
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