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1NH41TPA1

产品描述DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小66KB,共2页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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1NH41TPA1概述

DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

1NH41TPA1规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1000 V
最大反向恢复时间0.4 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

1NH41TPA1相似产品对比

1NH41TPA1 1NH41TPA3 1NH41TPB2 JB6-Q208-12-1
描述 DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode Terminal and Terminal Block,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) -
包装说明 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 -
Is Samacsys N N N -
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED -
配置 SINGLE SINGLE SINGLE -
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON -
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE -
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 -
元件数量 1 1 1 -
端子数量 2 2 2 -
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C -
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -
最大输出电流 1 A 1 A 1 A -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 ROUND ROUND ROUND -
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
最大重复峰值反向电压 1000 V 1000 V 1000 V -
最大反向恢复时间 0.4 µs 0.4 µs 0.4 µs -
表面贴装 NO NO NO -
端子形式 WIRE WIRE WIRE -
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL -
Base Number Matches 1 1 1 -
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