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U1ZB8.2

产品描述Zener Diode, 8.2V V(Z), 10%, 1W,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小151KB,共3页
制造商Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
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U1ZB8.2概述

Zener Diode, 8.2V V(Z), 10%, 1W,

U1ZB8.2规格参数

参数名称属性值
厂商名称Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
配置SINGLE
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗30 Ω
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大功率耗散1 W
标称参考电压8.2 V
表面贴装YES
最大电压容差10%
工作测试电流10 mA
Base Number Matches1

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BL
FEATURES
power rating.
GALAXY ELECTRICAL
ZENER DIODES
U1ZB6.8
- - -
U1ZB390
POWER DISSIPATION:
1.0 W
Silicon planar power zener diodes
For use in stabilizing and clipping curcuits with high
(DO-214AC)SMA
Standard
zener
voltage tolerance is ±10%. Add
suffix "A" for ±5% tolerance. Other
zener
voltage
and tolerances are available upon request.
MECHANICAL DATA
Case:DO-214AC
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,
method
208
Polarity: Cathode
band
Marking: Type
number
Weight:
0.002 ounces, 0.064 gram
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
SYMBOL
Zener current (see
Table
"Characteristics")
VALUE
UNIT
Pow er dissipation at T
amb
=25
P
tot
T
J
T
s
1.0
1)
-40---+150
-40---+150
W
Junction temperature
Storage temperature
range
NOTES:
(1) Valid provided that leads at a distance of 10 mm from case are kept at ambient temperature.
www.galaxycn.com
Document Number 0284025
BL
GALAXY ELECTRICAL
1.

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