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1N415E

产品描述Mixer Diode, X Band to KU Band, 465ohm Z(V) Max, 7.5dB Noise Figure, Silicon, DO-23, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小15KB,共1页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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1N415E概述

Mixer Diode, X Band to KU Band, 465ohm Z(V) Max, 7.5dB Noise Figure, Silicon, DO-23, HERMETIC SEALED PACKAGE-2

1N415E规格参数

参数名称属性值
厂商名称Advanced Semiconductor, Inc.
零件包装代码DO-23
包装说明O-CEMW-N2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性MATCHED PAIR
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
频带X BAND TO KU BAND
最大阻抗465 Ω
最小阻抗335 Ω
JEDEC-95代码DO-23
JESD-30 代码O-CEMW-N2
最大噪声指数7.5 dB
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式MICROWAVE
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
技术POINT CONTACT
端子形式NO LEAD
端子位置END
Base Number Matches1

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1N415E
SILICON MIXER DIODE
DESCRIPTION:
The
ASI 1N415E
is a Silicon Mixer
Diode Designed for Applications
Operating From 8.0 to 12.4 GHz.
PACKAGE STYLE DO- 23
FEATURES:
High burnout resistance
Low noise figure
Hermetically sealed package
MAXIMUM RATINGS
I
F
V
R
P
DISS
T
J
T
STG
20 mA
1.0 V
2.0
(ERGS)
@ T
C
= 25 °C
-55 °C to +150 °C
-55 °C to +150 °C
NONE
CHARACTERISTICS
SYMBOL
NF
V
SWR
Z
IF
frange
R
L
= 22
T
C
= 25 °C
TEST CONDITIONS
F = 9375 MHz
R
L
= 100
P
lo
= 1.0 mW
I
F
= 30 MHz
N
Fif
= 1.5 dB
MINIMUM TYPICAL
MAXIM
7.5
1.3
UNITS
dB
f = 1000 Hz
335
8.0
465
12.4
GHz
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
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