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1N415C

产品描述SILICON,XBAND, MIXER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小257KB,共7页
制造商TE Connectivity(泰科)
官网地址http://www.te.com
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1N415C概述

SILICON,XBAND, MIXER DIODE

1N415C规格参数

参数名称属性值
厂商名称TE Connectivity(泰科)
包装说明O-MUMW-N1
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性LOW NOISE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
频带X BAND
JESD-30 代码O-MUMW-N1
最大噪声指数9.5 dB
元件数量1
端子数量1
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式MICROWAVE
脉冲输入最大功率0.075 W
脉冲输入功率最小值1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
技术POINT CONTACT
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
Base Number Matches1
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