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1N3655BMR

产品描述Mixer Diode, S Band, 450ohm Z(V) Max, 6dB Noise Figure, Silicon, DO-23, HERMETIC SEALED, DO-23, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小257KB,共4页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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1N3655BMR概述

Mixer Diode, S Band, 450ohm Z(V) Max, 6dB Noise Figure, Silicon, DO-23, HERMETIC SEALED, DO-23, 2 PIN

1N3655BMR规格参数

参数名称属性值
厂商名称Advanced Semiconductor, Inc.
零件包装代码DO-23
包装说明O-LALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性MATCHED PAIR
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
频带S BAND
最大阻抗450 Ω
最小阻抗350 Ω
JEDEC-95代码DO-23
JESD-30 代码O-LALF-W2
最大噪声指数6 dB
元件数量1
端子数量2
最大工作频率4 GHz
最小工作频率2 GHz
最高工作温度150 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
技术POINT CONTACT
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1
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