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1N21E

产品描述Mixer Diode, S Band, 450ohm Z(V) Max, 7dB Noise Figure, Silicon, DO-22, HERMETIC SEALED, DO-22, 1 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小257KB,共4页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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1N21E概述

Mixer Diode, S Band, 450ohm Z(V) Max, 7dB Noise Figure, Silicon, DO-22, HERMETIC SEALED, DO-22, 1 PIN

1N21E规格参数

参数名称属性值
厂商名称Advanced Semiconductor, Inc.
零件包装代码DO-22
包装说明O-LALF-W1
针数1
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性MATCHED PAIR
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
频带S BAND
最大阻抗450 Ω
最小阻抗350 Ω
JEDEC-95代码DO-22
JESD-30 代码O-LALF-W1
最大噪声指数7 dB
元件数量1
端子数量1
最高工作温度150 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
技术POINT CONTACT
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1
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